[发明专利]双宽度鳍式场效应晶体管

权利要求书

1.一种方法，包括：

在衬底上形成应变的硅鳍，所述应变的硅鳍具有第一鳍宽度；

在所述应变的硅鳍上形成第一氧化物层；

在所述应变的硅鳍和所述第一氧化物层上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖所述应变的硅鳍的第一部分，并且使所述应变的硅鳍的第二部分暴露；

在所述应变的硅鳍的所述第二部分的第一侧上形成第二氧化物层，所述第二氧化物层使所述应变的硅鳍的所述第二部分的第二侧和第三侧暴露；

当所述第二氧化物层在所述应变的硅鳍的所述第二部分的所述第一侧上时，将所述应变的硅鳍的所述第二部分减薄至第二鳍宽度；

去除所述第二氧化物层；以及

在所述第二氧化物层被去除后，在所述应变的硅鳍的所述第二部分上形成源极区域和漏极区域，所述源极区域和所述漏极区域包裹围绕所述应变的硅鳍的所述第一侧、所述第二侧和所述第三侧。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一鳍宽度比所述第二鳍宽度至少大20％。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述源极区域和所述漏极区域具有钻石形状轮廓。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述栅极结构包括：在所述氧化物层上形成栅极，在所述应变的硅鳍上形成间隔物，以及在所述栅极上形成盖层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述栅极结构包括：形成栅极，所述栅极包裹围绕所述鳍的三侧。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述源极区域和所述漏极区域是升高的源极区域和漏极区域。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述应变的硅鳍的所述第一部分是沟道区域。

8.一种鳍式场效应晶体管，包括：

升高的源极区域；

升高的漏极区域；

鳍，从所述升高的源极区域延伸到所述升高的漏极区域，所述鳍具有沿着所述鳍的长度而变化的非均匀的鳍宽度，所述鳍的沟道区域大致是所述鳍的、在所述沟道区域之外的部分的两倍厚；以及

栅极，包裹围绕所述鳍的所述沟道区域的三侧，所述栅极被配置为控制在所述升高的源极区域和所述升高的漏极区域之间的所述沟道区域之内的电流流动。

9.根据权利要求8的鳍式场效应晶体管，其中所述鳍的所述沟道区域是应变的沟道区域。

10.根据权利要求8的鳍式场效应晶体管，其中所述鳍的、在所述沟道区域之外的部分呈现基本上均匀的掺杂剂分布。

11.根据权利要求8的鳍式场效应晶体管，其中所述升高的源极区域和所述升高的漏极区域具有钻石形状轮廓。

12.一种器件，包括：

硅衬底；

在所述硅衬底中的埋置氧化物层；

在所述埋置氧化物层之上的应变的硅鳍，所述应变的硅鳍包括具有第一鳍宽度的宽部分和具有第二鳍宽度的窄部分；

顶部氧化物层，覆盖所述应变的硅鳍；

栅极结构，邻近所述应变的硅鳍，所述栅极结构包括金属栅极电极和邻近所述栅极电极的栅极氧化物；以及

升高的源极区域和漏极区域，邻近所述应变的硅鳍，所述宽部分对应于沟道区域，所述窄部分对应于所述升高的源极区域和漏极区域。

13.根据权利要求12所述的器件，其中所述硅衬底是应变的绝缘体上硅衬底。

14.根据权利要求12所述的器件，其中所述宽部分和所述窄部分具有基本上相同的应变程度。

15.根据权利要求12所述的器件，其中所述宽部分比所述窄部分至少宽20％。