[发明专利]薄膜沉积腔、多功能遮蔽盘以及多功能遮蔽盘的使用方法

说明书

本揭露提供一种薄膜沉积腔、多功能遮蔽盘以及多功能遮蔽盘的使用方法。该遮蔽盘包括该遮蔽盘的一个表面上的一灯装置、一DC/RF电力装置，及一气体管道。运用此组态能够简化腔的类型，而不需要诸如一除气腔、一预清洗腔、一CVD/PVD腔的各种特定专用腔。通过使用该多功能遮蔽盘，除气功能及预清洗功能提供于一单一腔内。因此，一分离除气腔及一预清洗腔不再被需要，且腔之间的总传送时间被减小或消除。

技术领域

本揭露关于一种薄膜沉积腔、多功能遮蔽盘以及其使用方法。

背景技术

在制造半导体中，处理腔或处理腔系统用以使如以每小时的晶圆数(wafers perhour；WPH)量测的产率(throughput rate)最大化。晶圆在处理腔系统的每一腔内经受各种步骤，以处理晶圆以制造半导体、集成电路、微处理器、记忆体晶片或类似者。此等腔包括除气腔、预清洗腔、冷却腔、化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)腔及物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)腔。能够在腔之间传送晶圆的传送系统通过在执行不同功能的每一腔之间高效地传送晶圆来辅助减小制造制程的瓶颈。

发明内容

依据本揭露的部分实施例，一种薄膜沉积腔包含一电极；一承载座用以固持一工件；以及一遮蔽盘，覆盖该承载座。遮蔽盘包含一第一侧及一第二侧，该遮蔽盘的该第一侧面向该承载座；以及一热能源位于该遮蔽盘的该第一侧上。

依据本揭露的部分实施例，一种具有一第一表面及一第二表面的多功能遮蔽盘包含一灯模块位于该遮蔽盘的该第一表面上；以及一电力模块邻接于该第一表面上的该灯模块，其中该第一表面包括：一具有一第一外径的内部圆，该灯模块占用该内部圆的至少一部分；以及一外部圆，同心于该内部圆，该外部圆具有大于该第一外径的一第二外径，该电力模块占用该外部圆与该内部圆之间的一区域的至少一部分。

依据本揭露的部分实施例，一种使用多功能遮蔽盘的方法，包含：提供一工件至一多功能腔，其中该工件的除气、该工件的预清洗及于该工件上的薄膜沉积在该多功能腔处发生；将该工件置放于该腔内且一多功能遮蔽盘下方的一承载座上；启动该多功能遮蔽盘上的一热能源；使该工件除气；及将一薄膜沉积于该工件上。

附图说明

本揭露的态样在与随附附图一起研读时自以下详细描述内容来最佳地理解。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，各种特征的尺寸可为了论述清楚经任意地增大或减小。

图1为根据本揭露的实施例的处理腔系统的一个实施例的平面图，该处理腔系统包括具有多功能遮蔽盘的多功能腔；

图2为根据本揭露的一个实施例的包括多功能遮蔽盘的多功能腔结构的横截面图；

图3为根据本揭露的一个实施例的多功能遮蔽盘的仰视图；

图4为根据本揭露的实施例的薄膜沉积制程的流程图。

【符号说明】

100:腔处理系统

110:主框架

120:主框架

130:侧壁

140:真空载入锁定腔

152:腔

153:腔

154:腔

155:腔

156:腔

157:腔

158:腔

160:工件升降器

170:晶圆传送系统