[发明专利]一种紫外激发的Eu(Ⅱ)离子单掺单相全光谱荧光粉及其制备和应用

权利要求书

1.一种紫外激发的Eu(Ⅱ)离子单掺单相全光谱荧光粉，其特征在于，所述单相全光谱荧光粉的化学式为(Ca_9-xEu_x)MgK(PO₄)₇，其中x＝0.5％～5.0％，mol％；

所述单相全光谱荧光粉中Eu²⁺离子为单一激活中心，Ca₉MgK(PO₄)₇为基质材料；

所述单相全光谱荧光粉所述单相全光谱荧光粉能够在紫外光激发下，发射出光谱范围涵盖420-800nm的全光谱白光。

2.一种权利要求1中Eu(Ⅱ)离子单掺单相全光谱荧光粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：按照计量比称取CaCO₃，(MgCO₃)₄·Mg(OH)₂·5H₂O，K₂CO₃，NH₄H₂PO₄，Eu₂O₃，混合均匀，研磨，之后煅烧得到前驱体；

S2：将S1中得到的前驱体通过Al还原法进行还原烧结，实现荧光转换材料的全光谱发射调制，冷却，得到单相全光谱荧光粉。

3.根据权利要求2所述的一种Eu(Ⅱ)离子单掺单相全光谱荧光粉的制备方法，其特征在于，S1中所述研磨的时间为15～20min。

4.根据权利要求2所述的一种Eu(Ⅱ)离子单掺单相全光谱荧光粉的制备方法，其特征在于，S1中所述煅烧时间为2～96h，煅烧温度为800～1100℃。

5.根据权利要求2所述的一种Eu(Ⅱ)离子单掺单相全光谱荧光粉的制备方法，其特征在于，S2中所述的还原烧结为非接触式还原。

6.根据权利要求5所述的一种Eu(Ⅱ)离子单掺单相全光谱荧光粉的制备方法，其特征在于，所述非接触式还原过程为：

将Al粉与S1中得到的前驱体分别置于两个开放式容器中，之后将两个开放式容器置于密封容器中，对密封容器进行抽真空，之后在1000℃下进行还原烧结。

7.根据权利要求6所述的一种Eu(Ⅱ)离子单掺单相全光谱荧光粉的制备方法，其特征在于，所述Al粉与所述前驱体的(0.3～10):1。

8.根据权利要求6所述的一种Eu(Ⅱ)离子单掺单相全光谱荧光粉的制备方法，其特征在于，所述两个开放式容器中心的距离为1～5cm；

还原烧结的时间为0.1～96h。

9.根据权利要求6所述的Eu(Ⅱ)离子单掺单相全光谱荧光粉的制备方法，其特征在于，抽真空至密封容器中的压力小于负0.1MPa。

10.一种权利要求1中Eu(Ⅱ)离子单掺单相全光谱荧光粉的制备方法的应用，其特征在于，包括以下步骤：将所述单相全光谱荧光粉与375nm紫外芯片封装成LED器件，在30mA的电流驱动下进行点亮，光源的显色指数为95。