[发明专利]一种硅基显示面板及制备方法

说明书

本发明公开了一种硅基显示面板及制备方法。该面板包括硅基衬底，衬底多个侧面上设置多个凹槽结构；设置于衬底上的多个呈阵列排布的像素单元；位于衬底一侧的栅极金属层，位于衬底一侧的源极金属层；栅极和源极驱动电路。本方案凹槽结构包括栅极及源级凹槽结构，栅极金属层包括多条栅极走线，源极金属层包括多条源极走线；在栅极凹槽结构内设置有栅极连接结构，在源极凹槽结构内设置有源极连接结构；然后栅极走线与栅极连接结构的第一端电连接；栅极驱动电路与栅极连接结构的第二端电连接；源极走线与源极连接机构的第一端电连接，源极驱动电路与源极连接结构的第二端电连接。如此通过凹槽结构内的连接结构实现了各栅极及源级走线的正常引出。

技术领域

本发明实施例涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种硅基显示面板及制备方法。

背景技术

硅基OLED微显示领域中的封装工艺一般使用无机层和有机层叠加进行封装。一般的，需要使用掩膜板遮挡电极或者金属接线pad区域。掩膜板和基板之间有间隙，生成物可以进入掩膜板和基板间的间隙中，因此会在基板电极区域或金属接线pad区域沉积上整面封装膜层，这样会导致无法正常引出电极或打线异常。

发明内容

本发明实施例提供一种硅基显示面板及硅基显示面板的制备方法，以实现显示面板中栅极金属层与栅极驱动电路良好导通性、源极金属层与源极驱动电路的良好导通性，实现了栅极金属层与源极金属层的正常引出，同时也实现了后续显示面板整面封装的低成本设计。

第一方面，本发明实施例提供了一种硅基显示面板，该显示面板包括：

硅基衬底，所述硅基衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，还包括连接所述第一表面和第二表面的多个侧面，及设置在所述侧面上的多个凹槽结构；所述凹槽结构均贯穿所述硅基衬底；

设置于所述硅基衬底上的多个呈阵列排布的像素单元；

位于所述第一表面一侧与所述像素单元的栅极电连接的栅极金属层，位于所述第一表面一侧与所述像素单元的源极电连接的源极金属层；

其中，所述凹槽结构包括栅极凹槽结构及源级凹槽结构，所述栅极凹槽结构内设置有栅极连接结构，所述源极凹槽结构内设置有源极连接结构；

所述栅极金属层包括多条栅极走线，所述栅极走线与所述栅极凹槽结构一一对应，且所述栅极走线与所述栅极连接结构的第一端电连接；

所述源极金属层包括多条源极走线，所述源极走线与所述源极凹槽结构一一对应，且所述源极走线与所述源极连接结构的第一端电连接；

栅极驱动电路和源极驱动电路，所述栅极驱动电路与所述栅极连接结构的第二端电连接，所述源极驱动电路与所述源极连接结构的第二端电连接。

可选的，所述侧面包括相邻设置的第一侧面和第二侧面；所述栅极凹槽结构设置在第一侧面上，所述源极凹槽结构设置在第二侧面上。

可选的，所述侧面还包括相邻设置的第三侧面和第四侧面；所述第三侧面与所述第一侧面相对设置，所述第四侧面与所述第二侧面相对设置，在所述第三侧面上设置有所述栅极凹槽结构，所述第四侧面上设置有所述源极凹槽结构。

可选的，所述凹槽结构的内壁设置有多个微结构，所述栅极连接结构及所述源极连接结构均至少部分覆盖所述微结构。

可选的，所述凹槽结构内还设置有连接金属，所述连接金属的电阻小于所述栅极连接结构的电阻，或者所述连接金属的电阻小于所述源极连接结构的电阻；且所述连接金属在所述凹槽结构的内壁上的沉积厚度大于所述微结构的最大凹凸起伏差值。

可选的，所述硅基显示面板还包括：位于所述像素单元远离所述硅基衬底一侧的封装层，且所述封装层覆盖所述凹槽结构。

第二方面，本发明实施例还提供了一种硅基显示面板的制备方法，用于制备上述第一方面所述的硅基显示面板，该制备方法包括：