[发明专利]光感测装置及制造光感测装置的方法

说明书

本发明实施例涉及光感测装置及制造光感测装置的方法。本揭露提供一种光感测装置，所述光感测装置包含：衬底，其在前表面处包含硅层；光敏部件，其延伸到所述硅层中且至少部分由所述硅层包围；及复合层，其安置于所述光敏部件与所述硅层之间且包围所述光敏部件，其中所述复合层包含第一材料及不同于所述第一材料的第二材料。

技术领域

本发明实施例涉及光感测装置及制造光感测装置的方法。

背景技术

近年来，半导体集成电路(IC)产业已经历快速增长。IC材料及设计的技术进步已产生数代IC，其中每一代具有比前一代更小且更复杂的电路。

光感测装置用于感测例如光的辐射。这些装置通常使用像素阵列或光电二极管阵列来吸收投射到其的辐射并将感测到的辐射转换为电信号。作为演进的一部分，可减小光感测装置的大小。然而，与暗电流有关的问题越来越难以解决，此外，随着像素大小的减小，由光感测装置接收到的光子量减少。因此，暗电流的效应变得更加明显。因此，最小化暗电流是先进技术的关键问题。

发明内容

本发明的实施例涉及一种光感测装置，其包括：衬底，其在前表面处包括硅层；光敏部件，其延伸到所述硅层中且至少部分由所述硅层包围；及复合层，其安置于所述光敏部件与所述硅层之间且包围所述光敏部件，其中所述复合层包含第一材料及不同于所述第一材料的第二材料。

本发明的实施例涉及一种光感测装置，其包括：衬底，其在前表面处包括硅层，其中所述硅层包括：第一部分；及第二部分，其包围所述第一部分，其中所述硅层的所述第二部分的厚度大于所述硅层的所述第一部分的厚度；光敏部件，其在所述硅层的所述第一部分上方；及半导体堆叠，其在所述光敏部件与所述硅层的所述第一部分之间，其中所述半导体堆叠包括：第一半导体层，其在所述硅层的所述第一部分与所述光敏部件之间；及第二半导体层，其在所述第一半导体层与所述光敏部件之间。

本发明的实施例涉及一种用于形成光感测装置的方法，其包括：提供衬底；在所述衬底中形成凹槽；形成与所述凹槽保形的第一半导体层；在所述第一半导体层上方形成第二半导体层；及形成在所述凹槽内且由所述第一半导体层及所述第二半导体层包围的光敏部件。

附图说明

在结合附图阅读时，从以下具体实施方式最佳理解本揭露的方面。应注意，根据行业标准做法，各个构件未按比例绘制。事实上，为使论述清楚，各个构件的尺寸可任意增大或减小。

图1是说明根据本揭露的一些实施例的光感测装置的剖面图的示意图。

图2A是说明根据本揭露的一些实施例的沿着图1中所展示的线U'-U'的光感测装置的半导体堆叠的放大剖面图的示意图。

图2B是说明根据本揭露的一些实施例的沿着图1中所展示的线U'-U'的光感测装置的半导体堆叠的放大剖面图的示意图。

图3A展示表示根据本揭露的一些实施例的用于制造光感测装置的方法的流程图。

图3B展示表示根据本揭露的一些实施例的用于制造光感测装置的方法的流程图。

图3C展示表示根据本揭露的一些实施例的用于制造光感测装置的方法的流程图。

图4是根据本揭露的一些实施例的制造操作的中间阶段期间的光感测装置的剖面图。

图5A到5U是根据本揭露的一些实施例的制造操作的中间阶段期间的光感测装置的剖面图。

图6A到6F是根据本揭露的一些实施例的制造操作的中间阶段期间的光感测装置的剖面图。

图7到17是根据本揭露的一些实施例的制造操作的中间阶段期间的光感测装置的剖面图。

具体实施方式