[发明专利]检查装置的控制方法和检查装置在审
| 申请号: | 202010959217.0 | 申请日: | 2020-09-14 |
| 公开(公告)号: | CN112635341A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
| 发明(设计)人: | 远藤朋也 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 检查 装置 控制 方法 | ||
1.一种检查装置的控制方法,其特征在于,包括:
所述检查装置包括:
具有多层检查室排的检查部,其中所述检查室排排列有多个收纳对基片进行检查的测试器的检查室;
使基片接触到所述测试器的多个对准器,其在所述检查室排至少设置一个;和
控制所述对准器的控制部,
在一个所述对准器进行对准时,所述控制部限制其它所述对准器的动作。
2.如权利要求1所述的检查装置的控制方法,其特征在于:
在一个所述对准器进行对准时,所述控制部使其它所述对准器静止。
3.如权利要求1所述的检查装置的控制方法,其特征在于:
由所述对准器进行的对准具有粗校正模式和精校正模式,
在一个所述对准器在所述精校正模式下进行对准时,所述控制部使其它所述对准器静止。
4.如权利要求1所述的检查装置的控制方法,其特征在于:
所述对准器具有起始位置,
在一个所述对准器进行对准时,所述控制部使其它所述对准器在所述起始位置静止。
5.如权利要求1所述的检查装置的控制方法,其特征在于:
在一个所述对准器进行对准时,所述控制部限制其它所述对准器的加减速度。
6.如权利要求5所述的检查装置的控制方法,其特征在于:
在一个所述对准器进行对准时,所述控制部限制其它所述对准器在所述检查室之间移动。
7.一种检查装置的控制方法,其特征在于,包括:
具有多层检查室排的检查部,其中所述检查室排排列有多个收纳对基片进行检查的测试器的检查室;
使基片接触到所述测试器的多个对准器,其在所述检查室排至少设置一个;和
控制所述对准器的控制部,
所述控制部具有第一动作模式和第二动作模式,并且与所述第一动作模式下的所述对准器的加减速度相比,限制所述第二动作模式下的所述对准器的加减速度。
8.如权利要求1~7中任一项所述的检查装置的控制方法,其特征在于:
所述对准包括:
使上摄像机与下摄像机的轴对齐的第一上下摄像机对齐;
用所述下摄像机检测探针卡的位置的探针对准;
用所述上摄像机检测基片的位置的基片对准;和
将所述上摄像机与所述下摄像机的轴对齐的第二上下摄像机对齐,
在所述第一上下摄像机对齐的结果与所述第二上下摄像机对齐的结果的离差为规定值以上的情况下,所述控制部再次进行对准。
9.如权利要求1~7中任一项所述的检查装置的控制方法,其特征在于:
所述对准中,
检测设置于检测对象的图案的位置,来计算所述图案的节距,
并且在计算出的节距与所存储的上次的节距的离差为规定值以上的情况下,再次进行对准。
10.如权利要求1~7中任一项所述的检查装置的控制方法,其特征在于:
所述对准包括:
用下摄像机检测探针卡的位置的探针对准;
使上摄像机与所述下摄像机的轴对齐的上下摄像机对齐;和
用所述上摄像机检测基片的位置的基片对准,
在进行2次所述对准且离差为规定值以上的情况下,所述控制部再次进行对准。
11.一种检查装置,其特征在于,包括:
具有多层检查室排的检查部,其中所述检查室排排列有多个收纳对基片进行检查的测试器的检查室;
使基片接触到所述测试器的多个对准器,其在所述检查室排至少设置一个;和
控制所述对准器的控制部,
所述控制部在一个所述对准器进行对准时限制其它所述对准器的动作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





