[发明专利]高波长选择性的紫外探测器件及其制作方法

说明书

本发明公开了一种高波长选择性的紫外探测器件及其制作方法。所述紫外探测器件包括：第一极性半导体层、第二极性半导体层、第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层；所述第一极性半导体层设置在所述第二极性半导体层上，所述第一欧姆接触层、第二欧姆接触层分别与第一极性半导体层、第二极性半导体层形成欧姆接触，所述第一欧姆接触层包括覆设在第一极性半导体层上的Ag‑Au合金薄膜，所述Ag‑Au合金薄膜可选择性地使紫外光透过。本发明实施例提供的高波长选择性的紫外探测器件在体积小、容易使用的基础上，实现了对特定波段紫外光的高选择性探测，同时Ag‑Au合金薄膜与第一极性半导体层之间的欧姆接触保证了器件的优异探测性能。

技术领域

本发明涉及一种紫外探测器，特别涉及一种高波长选择性的紫外探测器件及其制作方法，属于光电探测技术领域。

背景技术

紫外光按照波长可以分为UVA(400-320nm)、UVB(320-280nm)和UVC(280-100nm)，不同波长的紫外光有不同的应用，如UVA常用于光固化，UVB常用于生物医疗，UVC常用于消毒杀菌。能够准确计量特定波段的紫外辐照强度和剂量具有重要意义。常规的半导体紫外探测器对于波长短于吸收边的紫外光具有较宽的响应范围，并不能仅仅在一个较窄范围对紫外光具有响应，尽管现有的光谱仪能针对特定波段紫外光进行探测，但是其设备体积大、不便携带且极其昂贵。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种高波长选择性的紫外探测器件及其制作方法，以克服现有技术中的不足。

为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

本发明实施例提供了一种高波长选择性的紫外探测器件，其包括：第一极性半导体层、第二极性半导体层、第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层；所述第一极性半导体层设置在所述第二极性半导体层上，所述第一欧姆接触层、第二欧姆接触层分别与第一极性半导体层、第二极性半导体层形成欧姆接触，所述第一欧姆接触层包括覆设在第一极性半导体层上的Ag-Au合金薄膜，所述Ag-Au合金薄膜可选择性地使紫外光透过。

进一步的，所述Ag-Au合金薄膜包含60-90％Ag和10-40％Au(该比例为原子数的比例)。

进一步的，所述Ag-Au合金薄膜的厚度为30-100nm。

进一步的，所述Ag-Au合金薄膜对波长为340-400nm的紫外光具有选择透过性。

在一些较为具体的实施方案中，所述Ag-Au合金薄膜为厚度为70nm的Ag_0.6Au_0.4薄膜，所述Ag_0.6Au_0.4薄膜对波长为396nm的紫外光的选择透过率峰值为4％，半高宽为100nm。

在一些较为具体的实施方案中，所述Ag-Au合金薄膜为厚度为70nm的Ag_0.7Au_0.3薄膜，所述Ag_0.7Au_0.3薄膜对波长为380nm的紫外光的选择透过率峰值为5％，半高宽为80nm。

在一些较为具体的实施方案中，所述Ag-Au合金薄膜为厚度为70nm的Ag_0.8Au_0.2薄膜，所述Ag_0.8Au_0.2薄膜对波长为360nm的紫外光的选择透过率峰值为8％，半高宽为55nm。

在一些较为具体的实施方案中，优选的，所述Ag-Au合金薄膜为厚度为70nm的Ag_0.9Au_0.1薄膜，所述Ag_0.9Au_0.1薄膜对波长为340nm的紫外光的选择透过率峰值为16％，半高宽为35nm。