[发明专利]功率放大器、微波源和微波加热装置在审

专利信息
申请号: 202010942687.6 申请日: 2020-09-09
公开(公告)号: CN114245508A 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 方友平;陈茂顺 申请(专利权)人: 广东美的厨房电器制造有限公司;美的集团股份有限公司
主分类号: H05B6/68 分类号: H05B6/68;H03F3/20
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 邵泳城
地址: 528311 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 功率放大器 微波 加热 装置
【说明书】:

本申请公开了一种功率放大器、微波源和微波加热装置。功率放大器包括输入匹配电路、放大电路和输出匹配电路。输入匹配电路用于实现阻抗匹配。放大电路连接输入匹配电路,用于对输入信号进行放大。输出匹配电路连接放大电路,用于实现阻抗匹配。输出匹配电路包括开关单元和滤波部;开关单元的第一端连接放大电路,开关单元的第二端接收输入电压并连接滤波部,滤波部用于连接微波辐射单元。如此,输出匹配电路的开关单元接收输入电压,使得输入电压可以为输出匹配电路供电,减少微波信号在输出匹配电路中的能量损耗,提高了功率放大器效率,从而提高了具有功率放大器的半导体微波源的效率。另外,滤波部可以减少微波信号受到干扰。

技术领域

本申请涉及于微波设备领域,更具体而言,涉及一种功率放大器、微波源和微波加热装置。

背景技术

随着半导体微波技术的发展,半导体微波源可以应用在微波加热装置上。在相关技术中,半导体微波源包括微波发生器和功率放大器,微波发生器产生的微波经过功率放大器后,可以输出大功率的微波。功率放大器可以采用横向扩散金属氧化物半导体(laterally-diffusedmetal-oxidesemiconductor,LDMOS)或氮化镓或(GaN)晶体管。然而,由于功率放大器具有功耗,使得半导体微波源的效率较低。

发明内容

本申请实施方式提供了一种功率放大器、微波源和微波加热装置。

本申请实施方式的功率放大器,所述功率放大器用于微波加热装置,所述功率放大器包括:

输入匹配电路,所述输入匹配电路用于实现阻抗匹配;

放大电路,所述放大电路连接输入匹配电路,所述放大电路用于对输入信号进行放大;和

输出匹配电路,所述输出匹配电路连接所述放大电路板,所述输出匹配电路用于实现阻抗匹配。所述匹配电路包括开关单元和滤波部,所述滤波部连接所述输入电压部,所述开关单元的第一端连接所述放大电路,所述开关单元的第二端接收输入电压并连接所述滤波部,所述滤波部用于连接微波辐射单元。

本申请实施方式中,所述功率放大器的滤波部包括第一滤波单元和第二滤波单元,所述第一滤波单元的第一端连接所述开关单元的第二端,所述第一滤波单元的第二端连接所述微波辐射单元的第一端,所述第二滤波单元的第一端连接所述开关单元的第二端,所述第二滤波单元的第二端连接所述微波辐射单元的第二端。

在某些实施方式中,所述第一滤波单元和所述第二滤波单元的数量均为两个,其中一个所述第二滤波单元连接在两个所述第一滤波单元的第一端之间,另外一个所述第二滤波单元连接在其中一个所述第一滤波单元和所述微波辐射单元之间。

在某些实施方式中,所述第一滤波单元包括并联连接的第一电感和第一电容,所述第二滤波单元包括并联连接的第二电感和第二电容。

在某些实施方式中,所述输出匹配电路包括连接在所述开关的第二端和所述滤波部之间的第三电容。

在某些实施方式中,所述输出匹配电路包括连接在所述开关的第二端和所述输入电压之间的第三电感。

在某些实施方式中,所述放大电路包括横向扩散金属氧化物半导体或氮化镓晶体管。

在某些实施方式中,所述开关单元包括MOS管,所述MOS管的栅极连接所述放大电路,所述MOS管的源极接收所述输入电压,所述MOS管的漏极连接所述微波辐射单元。

本申请实施方式的微波源,包括:

如上任所述的功率放大器;和

微波发生器,所述微波发生器连接所述输入匹配电路。

本申请实施方式的微波加热装置,包括:

腔体;和

上述微波源,所述微波辐射源设置在所述腔体。

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