[发明专利]一种中子原位装置在审

专利信息
申请号: 202010940214.2 申请日: 2020-09-09
公开(公告)号: CN112151898A 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 陈东风;刘荣灯;孙凯;刘蕴韬;李天富;王子军;郭浩 申请(专利权)人: 中国原子能科学研究院
主分类号: H01M10/48 分类号: H01M10/48;H01M10/0525;H01M10/054
代理公司: 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 代理人: 田明;任晓航
地址: 102413 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 中子 原位 装置
【权利要求书】:

1.一种中子原位装置,其特征是:包括由密封圈(5)和片状的正极、片状的负极共同构成的一个腔体(9),所述腔体(9)用于盛放电解液和隔膜包裹的活性物质;所述正极包括依次层叠设置的第一支撑体(1)、连结层(2)、正极集流器(3)、正极材料(4);所述负极包括依次层叠设置的第二支撑体(8)、负极集流器(7)、负极材料(6)。

2.如权利要求1所述的中子原位装置,其特征是:所述活性物质是单质锂,或者单质钠,或者锂盐,或者钠盐。

3.如权利要求1所述的中子原位装置,其特征是:

在所述正极中,所述第一支撑体(1)位于所述密封圈(5)的一端开口上,所述连结层(2)、所述正极集流器(3)和所述正极材料(4)位于所述腔体(9)内部;

在所述负极中,所述第二支撑体(8)位于所述密封圈(5)的另一端开口上,所述负极集流器(7)和所述负极材料(6)位于所述腔体(9)内部。

4.如权利要求1所述的中子原位装置,其特征是:所述第一支撑体(1)和所述第二支撑体(8)为单晶硅片或二氧化硅片,厚度为0.2mm-3mm或8mm-45mm;面积为5cm2-100cm2

5.如权利要求1所述的中子原位装置,其特征是:所述连结层(2)是设置在所述第一支撑体(1)上的镀层,材质为钛、铂或铬,厚度为2nm-15nm。

6.如权利要求1所述的中子原位装置,其特征是:所述正极集流器(3)是设置在所述连结层(2)上的镀层,材质为金、铂或铝,厚度为10nm-60nm。

7.如权利要求1所述的中子原位装置,其特征是:所述负极集流器(7)是设置在所述第二支撑体(8)上的镀层,材质为金、铂或铜,厚度为10nm-60nm。

8.如权利要求1所述的中子原位装置,其特征是:所述密封圈(5)的材质为硅胶或聚四氟乙烯材料,所述密封圈(5)所围成的最佳面积为5cm2-80cm2

9.如权利要求1所述的中子原位装置,其特征是:所述正极材料(4)和所述负极材料(6)的厚度为10nm-100nm。

10.如权利要求1所述的中子原位装置,其特征是:还包括用于将所述密封圈(5)、所述正极和所述负极固定成为一体的夹具。

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