[发明专利]电子器件、制造其的方法和包括其的存储器件

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的籽晶层，所述籽晶层包括具有被配向的晶向的晶粒；

在所述籽晶层上的电介质层，所述电介质层包括具有配向在与所述籽晶层的所述晶向相同的方向上的晶向的晶粒；以及

在所述电介质层上的电极。

2.根据权利要求1所述的电子器件，还包括：

源极；

漏极；以及

沟道层，在所述衬底的上表面处或上表面上、在所述源极与所述漏极之间且在与所述电极对应的位置，

其中所述电极是栅电极。

3.根据权利要求2所述的电子器件，其中所述沟道层包括Si、Ge、III-V族半导体、氧化物半导体、氮化物半导体、氮氧化物半导体、二维半导体材料、量子点和有机半导体中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述籽晶层包括氧化物、氮化物、硫族化物和二维绝缘体材料中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的电子器件，其中所述氧化物包括Y、Si、Al、Hf、Zr、La、Mo、W、Ru和Nb中的至少一种的氧化物。

6.根据权利要求5所述的电子器件，其中所述氧化物还包括掺杂剂。

7.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述籽晶层具有0.5nm至3nm的厚度。

8.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述电介质层包括铁电体。

9.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述电介质层包括Hf、Si、Al、Zr、Y、La、Gd和Sr中的至少一种的氧化物。

10.根据权利要求9所述的电子器件，其中所述电介质层还包括掺杂剂。

11.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述电介质层具有0.5nm至20nm的厚度。

12.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述籽晶层的所述晶粒的所述晶向和所述电介质层的所述晶粒的所述晶向具有111取向。

13.根据权利要求1所述的电子器件，其中：

所述电极是第一电极，以及

所述衬底是第二电极。

14.根据权利要求13所述的电子器件，其中所述电子器件是电容器。

15.根据权利要求14所述的电子器件，其中所述电介质层具有剩余极化。

16.根据权利要求1所述的电子器件，还包括：

在所述籽晶层与所述衬底之间的非晶电介质层。

17.根据权利要求1所述的电子器件，还包括：

结晶电介质层，在所述籽晶层与所述衬底之间具有与所述籽晶层的所述被配向的晶向不同的晶向。

18.一种制造电子器件的方法，所述方法包括：

准备在其中具有沟道层的衬底；

在所述沟道层上形成籽晶层，所述籽晶层包括具有被配向的晶向的晶粒；

在所述籽晶层上形成电介质层，所述电介质层包括具有配向在与所述籽晶层的所述晶向相同的方向上的晶向的晶粒；以及

在所述电介质层上形成栅电极。

19.根据权利要求18所述的方法，其中形成所述籽晶层包括：

在所述沟道层上沉积非晶电介质材料层，以及

使所沉积的非晶电介质材料层结晶。