[发明专利]一种硅片制造工艺在审
| 申请号： | 202010938546.7 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112059736A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 库黎明;闫志瑞;陈海滨 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 制造 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片制造工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：
(1)在研磨和腐蚀后，对硅片进行抛光；
(2)在硅片抛光后对硅片进行预清洗，去除硅片表面的磨料残留；
(3)对硅片进行低温退火；
(4)对低温退火的硅片进行最终清洗，去除步骤(3)中的表面金属残留，最后对金属水平进行检测。
2.根据权利要求1所述的硅片制造工艺，其特征在于，在所述步骤(1)中，采用单面抛光的加工方式、或者采用双面抛光加最终抛光的抛光方式对研磨后的硅片抛光。
3.根据权利要求1所述的硅片制造工艺，其特征在于，在所述步骤(1)中，抛光去除量为15～100微米。
4.根据权利要求1所述的硅片制造工艺，其特征在于，在所述步骤(1)中，在抛光之前或者之后对硅片进行边缘抛光。
5.根据权利要求1所述的硅片制造工艺，在所述步骤(3)中，对硅片进行低温退火，退火温度为150-600℃，退火时间为30分钟-12小时。
6.根据权利要求1所述的硅片制造工艺，其特征在于，在所述步骤(3)中，使用立式退火炉或卧式退火炉对硅片进行低温退火。
7.根据权利要求1所述的硅片制造工艺，其特征在于，在所述步骤(3)中，对硅片进行低温退火时，退火腔体内根据工艺要求通入氮气、氩气或氦气作为保护气体。
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