[发明专利]一种钼铌靶材组件中背板的水道口的抛光工艺

说明书

本发明涉及一种钼铌靶材组件中背板的水道口的抛光工艺，所述抛光工艺包括对钼铌靶材组件中背板的水道口进行抛光；所述抛光为采用伞状抛光刷进行抛光；所述抛光中抛光中抛光刷的旋转方向为顺时针；所述伞状抛光刷包括倒圆台形抛光面及围绕其分布的带形抛光面；所述倒圆台形侧面与水平面的夹角为85‑88°，倒圆台形抛光面的底面直径为1.5‑3cm；所述带形抛光面的宽度为0.2‑0.5mm；所述带形抛光面中抛光丝呈辐射分布，分布范围为0‑45°，以水平面为基准。本发明通过抛光工艺及抛光介质的特定选择，使得抛光稳定，抛光后水道口使用寿命延长。

技术领域

本发明涉及抛光领域，具体涉及一种钼铌靶材组件中背板的水道口的抛光工艺。

背景技术

靶材组件由靶材和与之材料相匹配的背板组成，其中背板上通常都设置有冷却管路，共靶材溅射过程中靶材的降温。

CN107717024A公开了一种背板的制造方法以及靶材组件，所述制造方法包括：提供背板坯料，所述背板坯料包括焊接面、以及与所述焊接面相对的背面；对所述背面进行粗加工，在所述背面内形成初始水道；对所述初始水道进行精加工，形成水道结构；在所述精加工过程中，采用易挥发性溶液作为冷却液。对所述初始水道进行精加工的过程中，采用易挥发性溶液作为冷却液，冷却液挥发后不易在所述水道结构内形成残留，从而可以提高所述水道结构的表面洁净度、色泽度，且可以减小或避免所述水道结构内的残留杂质，从而提高了所述水道结构的形成质量，进而提高了所述背板的质量。

CN210916234U公开了一种用于半导体芯片的钨钛合金靶材,包括靶材和背板,所述靶材的下端面上设置有楔形凸起，所述背板的山端面上设置有楔形凹槽，所述楔形凸起卡接在楔形凹槽中，背板的左右两侧设置有向上伸出的侧板，所述侧板与靶材的侧壁通过连接销固定连接，所述背板中还设置有冷却水道，所述冷却水道包括上行水道，冷凝腔和下行水道，所述上行水道，冷凝腔和下行水道构成首尾相连的连通水道。是一种结构合理，加工难度低，散热效果好的半导体芯片的钨钛合金靶材。

CN202730222U一种薄膜溅射设备靶极冷却铜背板冷却装置，本实用新型采用的方案是；靶材置于铜背板下方并进行焊接，使靶材背面紧密贴和在铜背板上，确保冷却能顺利进行，不会因空隙产生多馀的热阻，影响冷却效果，铜背板正面设置水路系统，包括一进水口极一出水口，铜背板内部设置5个水道且水道头尾相通，使冷却水能顺利流通，各水道头尾设置有长方形凹槽，能使水流加速，水道隔间条上设置有橡胶密封圈，使水道能照设置的流向前进，不会产生水压及流速的损失，当冷却水由进水口流入后，就顺着水道前进，一直到出水口流出，其中接触铜背板的时间及长度增加了冷却能力，使靶极能充分冷却，达到正常的工作温度，同时也冷却了靶材，使溅射设备保持持续的工作状态，减少维修的时间。

然而现有技术中对水道口进行加工时，存在抛光不稳定，抛光后水道口使用寿命减少等问题。

发明内容

鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种钼铌靶材组件中背板的水道口的抛光工艺，该工艺抛光稳定，抛光后水道口使用寿命延长。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供了一种钼铌靶材组件中背板的水道口的抛光工艺，所述抛光工艺包括对钼铌靶材组件中背板的水道口采用伞状抛光刷进行抛光；所述抛光中抛光刷的旋转方向为顺时针；

所述伞状抛光刷包括倒圆台形抛光面及围绕其分布的带形抛光面；

所述倒圆台形侧面与水平面的夹角为85-88°，倒圆台形抛光面的底面直径为1.5-3cm；

所述带形抛光面的宽度为0.2-0.5mm；

以水平面为基准，所述带形抛光面中抛光丝呈辐射分布，分布范围为0-45°。

本发明通过抛光工艺及抛光介质的特定选择，使得抛光稳定，抛光后水道口使用寿命延长。