[发明专利]用于光电混合相变存储器的相变材料，其制备方法及光电混合相变存储器

权利要求书

1.一种用于光电混合相变存储器的相变材料，其特征在于，所述相变材料为Cr,C共掺杂Sb₂Te₁化合物。

2.根据权利要求1所述的用于光电混合相变存储器的相变材料，其特征在于，所述相变材料的通式为Cr_xC_y(Sb₂Te₁)_100-x-y，其中x、y指元素的原子百分比，且满足：0x15、0y10。

3.根据权利要求2所述的用于光电混合相变存储器的相变材料，其特征在于，所述相变材料的组分满足：4≤x≤12，2≤y≤6。

4.根据权利要求3所述的用于光电混合相变存储器的相变材料，其特征在于，所述相变材料的组分满足：x＝7.66，y＝4.23。

5.根据权利要求1-4任一项所述的用于光电混合相变存储器的相变材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法选自溅射法、蒸发法、化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法、低压化学气相沉积法、金属化合物气相沉积法、分子束外延法、原子气相沉积法或原子层沉积法中任一种。

6.根据权利要求5所述的用于光电混合相变存储器的相变材料的制备方法，其特征在于，采用溅射法制备所述相变材料，所述溅射法选用下述方法中的任一种：

(1)采用Cr_xC_y(Sb₂Te₁)_100-x-y相变材料合金靶，通过单靶磁控溅射的方法制备出所述相变材料；

(2)采用C靶与Cr_x(Sb₂Te₁)_100-x靶或Cr靶与C_y(Sb₂Te₁)_100-y靶，通过双靶共溅射方法制备出所述相变材料；

(3)采用Sb₂Te₁合金靶与Cr单质靶、C单质靶，通过三靶共溅射的方法制备所述相变材料。

7.一种光电混合相变存储器，其特征在于，所述光电混合相变存储器中包括相变材料层，所述相变材料层是由权利要求1-4任一项所述的相变材料制备得到的。