[发明专利]短波红外接收装置及其制作方法

权利要求书

1.一种短波红外接收装置，其特征在于，包括：

一半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的第一接触层；

位于所述第一接触层上的倍增层；

位于所述倍增层上的电场控制层；

位于所述电场控制层上的吸收层；以及

位于所述吸收层上的第二接触层。

2.根据权利要求1的短波红外接收装置，其特征在于，所述第一接触层为N+型接触层。

3.根据权利要求1的短波红外接收装置，其特征在于，所述第二接触层为P+型接触层。

4.根据权利要求1的短波红外接收装置，其特征在于，所述第一接触层和第二接触层的材料为InGaAs。

5.根据权利要求1的短波红外接收装置，其特征在于，所述半导体衬底的材料为InP。

6.根据权利要求1的短波红外接收装置，其特征在于，所述倍增层的材料为InAIAs。

7.根据权利要求1的短波红外接收装置，其特征在于，所述倍增层的厚度为150～250nm。

8.根据权利要求7的短波红外接收装置，其特征在于，所述倍增层的厚度为210nm。

9.根据权利要求1的短波红外接收装置，其特征在于，所述电场控制层的材料为P+型InAIAs。

10.根据权利要求1的短波红外接收装置，其特征在于，所述吸收层的材料为InGaAs。

11.根据权利要求1的短波红外接收装置，其特征在于，所述吸收层的厚度为550～650nm。

12.根据权利要求11的短波红外接收装置，其特征在于，所述吸收层的厚度为600nm。

13.根据权利要求1的短波红外接收装置，其特征在于，还包括一第一缓冲层，位于所述倍增层与所述第一接触层之间。

14.根据权利要求1的短波红外接收装置，其特征在于，所述第一缓冲层的材料为N+型InAIAs。

15.根据权利要求1的短波红外接收装置，其特征在于，还包括一第一分级层和第二分级层，所述第一分级层位于所述电场控制层上，所述第二分级层位于所述吸收层上。

16.根据权利要求15的短波红外接收装置，其特征在于，所述第一分级层和第二分级层的材料为InAIGaAs。

17.根据权利要求15的短波红外接收装置，其特征在于，还包括一第二缓冲层，所述第二缓冲层位于所述第二分级层和第二接触层之间。

18.根据权利要求17的短波红外接收装置，其特征在于，所述第二缓冲层的材料为P+型InAIAs。

19.一种短波红外接收装置的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一半导体衬底；

在所述半导体衬底形成第一接触层，所述第一接触层为N+型接触层；

在所述第一接触层上形成第一缓冲层；

在所述第一缓冲层上形成倍增层；

在所述倍增层上形成电场控制层；

在所述电场控制层上形成第一分级层；

在所述第一分级层上形成吸收层；

在所述第一吸收层上形成第二分级层；

在所述第二分级层上形成第二缓冲层；以及

在所述第二缓冲层上形成第二接触层，所述第二接触层为P+型接触层。

20.根据权利要求19的短波红外接收装置，其特征在于，所述倍增层的厚度为150～250nm，所述吸收层的厚度为550～650nm。