[发明专利]芙蓉菊与匍地菊的属间远缘杂种创制方法有效

专利信息
申请号: 202010904570.9 申请日: 2020-09-01
公开(公告)号: CN111937740B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 孙明;许婷;陈俊通;钟剑;郭彦宏;李大伟;巴婷婷;常丽娜;张启翔;程堂仁 申请(专利权)人: 北京林业大学
主分类号: A01H1/02 分类号: A01H1/02;A01H1/04;A01H4/00
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 黄爽
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 芙蓉 远缘 杂种 创制 方法
【权利要求书】:

1.芙蓉菊与匍地菊的属间远缘杂种创制方法,其特征在于,以芙蓉菊属芙蓉菊与菊属匍地菊为亲本进行杂交,利用幼胚拯救技术获得远缘杂种;

以二倍体芙蓉菊为母本,四倍体匍地菊为父本进行远缘杂交;

所述方法包括:

1)亲本准备:培养两亲本使花期相遇;

2)远缘杂交:当父母本均开花时,母本去雄,取父本新鲜花粉进行授粉并套袋;

3)胚珠剥取:取杂交授粉后18天的头状花序,取出胚珠;

4)幼胚离体培养:将胚珠接种到不同激素配比的诱导培养基中进行培养,然后转入生根培养基中培养至出苗;

5)杂种F1代的获得:待幼苗根长至1cm以上,移植到基质中进行炼苗,之后上盆常规管理;

6)真杂种的筛选:根据对亲本及杂种F1代的表型观察,并结合染色体鉴定和流式细胞分析,从F1代植株中筛选出真杂种;

所述诱导培养基为含有2.0mg/L 6-BA和0.2mg/L NAA,pH5.6的MS培养基;

所述生根培养基为:1/2MS+0.1mg/L NAA,pH5.8;

步骤4)中进行诱导培养和生根培养的条件为:温度20-25℃,每日光照14-16h,光照强度1600-2000lx;诱导培养4-6周后转为生根培养;

步骤5)中所述基质由蛭石和珍珠岩按体积比1:1混合而成;

炼苗条件为:温度27-30℃,相对湿度60-70%,培养30-45天。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤1)包括:从8月份开始对母本芙蓉菊进行8-10小时的短日照养护,使其10月中旬达到盛花期。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤3)包括:取杂交授粉后的头状花序,对雌性小花进行消毒灭菌,去掉子房壁,取出胚珠。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,消毒灭菌的方法包括:用70%-75%的酒精对雌性小花表面消毒30-45秒,无菌水冲洗后,再用8%-13%的H2O2水溶液灭菌10-15分钟,然后无菌水冲洗。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法,其特征在于,步骤6)所述染色体鉴定包括:取幼根,用无菌水冲洗3-5次,转入1-2mol/L HCl溶液中,在60-80℃水浴条件下解离10-15min,用无菌水冲洗3-5次,再用蒸馏水漂洗5-8min,截取根尖白色部分,滴加改良的苯酚品红染色液,染色10-15min。

6.根据权利要求1-4任一项所述的方法,其特征在于,步骤6)所述流式细胞分析包括:以二倍体芙蓉菊作为参照,对杂交后代进行倍性水平检测;所述表型选自株高、冠幅、叶长、叶宽、叶柄长中的至少一种。

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