[发明专利]一种Cu3

权利要求书

1.一种制备Cu₃P@掺P介孔碳复合骨架的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

步骤（1），硬模板法制备介孔碳：

将SiO₂模板、表面活性剂加入超纯水中常温搅拌均匀，再加入碳源进行搅拌，随后烘干，送入管式炉在氩气气氛中焙烧，模板刻蚀后干燥，得到介孔碳材料；

步骤（2），溶液浸渍法原位掺杂铜：

将步骤（1）制备得到的介孔碳材料破碎筛分，将筛分后的颗粒加入到铜盐的有机溶剂中，搅拌，过滤清洗后烘干，得到介孔碳复合骨架前驱体；

步骤（3），焙烧：

将步骤（2）所述的介孔碳复合骨架前驱体置于氩气流的管式炉中焙烧，铜源分解，获得CuO纳米粒子原位掺杂的介孔碳复合骨架；

步骤（4），磷化处理：

将焙烧后的CuO纳米粒子掺杂的介孔碳复合骨架置于氩气流的管式炉中磷化处理，获得Cu₃P纳米粒子@P掺杂碳复合骨架。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

步骤（1）中：

所述SiO₂模板的粒径为50~500nm；

所述碳源为蔗糖、淀粉、木薯粉、聚多巴胺中的一种或几种；

所述碳源、SiO₂模板的重量比为50~55:40~45；

所述焙烧温度为800~1200 ℃，焙烧时间为60~400 min；所述管式炉的升温速率为1~10℃/min；

步骤（2）中：

所述铜盐为硝酸铜、硫酸铜、高氯酸铜、乙酸铜中的至少一种；

所述有机溶剂为乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇中的至少一种；

所述铜盐在有机溶剂中的浓度为0.1~100 g/L；

所述介孔碳在铜盐的有机溶剂中占比为0.05~20 wt.%；

步骤（3）中：

所述焙烧的温度为600~1200 ℃，所述焙烧时间为60~500 min；

所述管式炉的升温速率为0.5~20 ℃/min；

步骤（4）中：

所述磷化处理选用的磷源为偏磷酸盐、次磷酸盐中的至少一种；所述磷源与CuO纳米粒子掺杂的复合碳骨架质量比0.3:1~30:1；

所述磷化处理的温度为280~600℃、时间为1~8h；所述磷化处理时的升温速率为0.5~10℃/min。