[发明专利]封装件及其形成方法在审
| 申请号: | 202010879929.1 | 申请日: | 2020-08-27 |
| 公开(公告)号: | CN113053757A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
| 发明(设计)人: | 许佳桂;游明志;林柏尧;陈硕懋;许峯诚;郑心圃 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装 及其 形成 方法 | ||
1.一种形成封装件的方法,包括:
形成再分布结构,包括:
在载体上方形成多个介电层;
形成延伸到所述多个介电层中的多条再分布线;和
在所述载体上方形成增强贴片;
将第一封装组件接合至所述再分布结构,其中,所述第一封装组件包括与所述增强贴片的部分重叠的外围区域;以及
使所述再分布结构和所述第一封装组件从所述载体脱粘。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述第一封装组件和所述再分布结构之间分配底部填充物,其中,所述底部填充物接触所述增强贴片。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括:在所述脱粘之后,形成附加增强贴片,其中,所述增强贴片和所述附加增强贴片位于所述多个介电层的相对侧上。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述再分布结构还包括:
形成延伸到所述多个介电层的一个中的多个凸块下金属,其中,所述增强贴片和所述多个凸块下金属以共同工艺形成,并且其中,所述第一封装组件接合至所述多个凸块下金属。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述增强贴片包括镀。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述脱粘之后,将所述增强贴片完全封闭在介电材料中。
7.根据权利要求1所述的方法,还包括将第二封装组件接合至所述再分布结构,其中,所述增强贴片包括:
第一部分,与所述第一封装组件重叠;
第二部分,与所述第二封装组件重叠;以及
第三部分,将所述第一部分连接至所述第二部分。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述增强贴片具有网格图案。
9.一种封装件,包括:
再分布结构,包括:
多个介电层;
多条再分布线,延伸到所述多个介电层中;和
增强贴片,与所述多个介电层重叠,其中,所述增强贴片包括金属材料;
第一封装组件,位于所述再分布结构上方并且接合至所述再分布结构;以及
底部填充物,位于所述再分布结构和所述第一封装组件之间,其中,所述底部填充物接触所述增强贴片。
10.一种封装件,包括:
再分布结构,包括:
多个介电层;
多条再分布线,延伸到所述多个介电层中;和
增强贴片,接触所述多个介电层中的一个,其中,所述增强贴片是电浮置的;以及
封装组件,接合至所述再分布结构,其中,所述增强贴片包括与所述封装组件的拐角部分重叠的第一部分。
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