[发明专利]用于处理基板的设备和方法

权利要求书

1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：

支撑单元，被配置为支撑所述基板并且被设置为可旋转；

加热器，被配置为加热所述基板；

第一喷嘴，被配置为在基板处理过程中将第一处理液分配到所述基板上，所述第一处理液是磷酸溶液与硅基化学物质的混合物以及磷酸溶液中的一种；以及

第二喷嘴，被配置为在所述基板处理过程中将第二处理液分配到所述基板上，所述第二处理液是磷酸溶液与硅基化学物质的混合物以及磷酸溶液中的一种。

2.根据权利要求1所述的设备，还包括：

控制器；以及

温度传感器，被配置为测量所述基板的各个区域的温度，

其中，所述控制器基于所述温度传感器的温度测量结果控制所述第一喷嘴和所述第二喷嘴中的至少一个的分配位置、分配时间和分配流速中的至少一个。

3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述第二处理液的分配位置对应于在处理第一基板的过程中所述温度被测量为高的区域。

4.根据权利要求2所述的设备，其中，所述第二处理液的分配时间的范围从处理第一基板的过程中温度开始升高的任何时间点到所述温度下降之前的任何时间点。

5.根据权利要求1所述的设备，还包括：

控制器，

其中，所述控制器进行控制，使得在设定时间段内分配所述第二处理液的状态和在所述设定时间段内未分配所述第二处理液的状态重复。

6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第二喷嘴以喷雾形式分配所述第二处理液。

7.根据权利要求1所述的设备，其中，在130摄氏度至200摄氏度的温度下通过所述第一喷嘴分配所述第一处理液，并且

其中，通过所述第二喷嘴在130摄氏度至200摄氏度的温度下分配所述第二处理液。

8.根据权利要求1所述的设备，其中，以0cc/min至1000cc/min的流速分配所述第一处理液，并且

其中，以0cc/min至1000cc/min的流速分配所述第二处理液。

9.根据权利要求1所述的设备，还包括：

第三喷嘴，被配置为在所述基板处理过程中将第三处理液分配到所述基板上，所述第三处理液是硅基化学物质。

10.根据权利要求9所述的设备，其中，除了所述硅基化学物质之外，所述第三处理液还包含磷酸溶液和DIW中的一种。

11.根据权利要求10所述的设备，其中，所述第三处理液中包含的硅(Si)的浓度高于所述第一处理液和所述第二处理液中包含的硅(Si)的浓度。

12.根据权利要求10所述的设备，其中，在130摄氏度至200摄氏度的温度下分配所述第一处理液，

其中，在130摄氏度至200摄氏度的温度下分配所述第二处理液，并且

其中，在10摄氏度至175摄氏度的温度下分配所述第三处理液。

13.根据权利要求10所述的设备，其中，以0cc/min至1000cc/min的流速分配所述第一处理液，

其中，以0cc/min至1000cc/min的流量分配所述第二处理液，并且

其中，以0cc/min至100cc/min的流速分配所述第三处理液。

14.根据权利要求10所述的设备，其中，所述第一喷嘴、所述第二喷嘴和所述第三喷嘴中的至少一个在所述基板的设定区域上方移动的同时分配液体。

15.根据权利要求10所述的设备，其中，在所述基板处理过程中，所述第三喷嘴在所述基板的设定区域上方移动的同时分配所述第三处理液。