[发明专利]硅基液晶器件以及硅基液晶显示面板有效
| 申请号: | 202010879839.2 | 申请日: | 2020-08-27 |
| 公开(公告)号: | CN111880343B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
| 发明(设计)人: | 范纯圣;范世伦 | 申请(专利权)人: | 豪威半导体(上海)有限责任公司 |
| 主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
| 地址: | 201611 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液晶 器件 以及 液晶显示 面板 | ||
本发明提供了一种硅基液晶器件以及硅基液晶显示面板,所述硅基液晶器件包括:至少两个第一像素电极,第一像素电极的每个角为缺角,所有的第一像素电极沿着对角线的缺角的方向周期性地排布于衬底上;第一绝缘层,填充于相邻两个第一像素电极的侧壁之间并覆盖第一像素电极;至少两个第二像素电极,沿着对角线的方向周期性地排布于第一绝缘层上,且第二像素电极与第一像素电极相互交错设置,以使得对角线方向上的相邻两个第二像素电极的两相邻的角与对角线方向上的相邻两个第一像素电极的两相邻的缺角之间形成像素间隙。本发明的技术方案使得在提高开口率进而提高反射率的同时,还能够避免成本的明显提高。
技术领域
本发明涉及液晶显示领域,特别涉及一种硅基液晶器件以及硅基液晶显示面板。
背景技术
硅基液晶(Liquid Crystal on silicon,LCOS)显示面板是一种反射式液晶微型面板,其是采用半导体硅晶技术控制液晶进而“投射”彩色画面,具有光利用效率高、体积小、开口率高、制造技术成熟等特点,其可以很容易实现高分辨率和充分的色彩表现。
硅基液晶显示面板通常包括硅基液晶器件和透明盖板,硅基液晶器件和透明盖板之间通过框胶粘合在一起,并将液晶材料封装在内。其中,硅基液晶器件的结构和性能对硅基液晶显示面板的性能具有很大的影响。
参阅图1,图1是硅基液晶器件的俯视示意图,从图1中可看出,硅基液晶器件包含周期性排列的多个像素电极11,且各个像素电极11之间通过外围环绕的像素间隙12隔离开。参阅图2,图2是图1所示的硅基液晶器件沿AA’的剖面示意图,从图2中可看出,硅基液晶器件包括衬底10以及形成于衬底10上的多个像素电极11,衬底10与每个像素电极11之间形成有电介质层13,相邻两个像素电极11之间的像素间隙12中填充有绝缘阻隔层14,像素电极11和绝缘阻隔层14上覆盖有绝缘钝化层15。基于图1和图2所示的现有的硅基液晶器件的结构,对于每个像素的宽度D1为4.5μm(即一个像素电极11的宽度与一个像素间隙12的宽度之和)且像素间隙12的宽度D2为0.2μm的硅基液晶显示面板,像素开口率仅能达到91.3%;并且,参阅图3,图3是基于图1所示的硅基液晶器件的反射率随着可见光波长的变化趋势图,像素电极11的材质为铝,曲线L1、曲线L2和曲线L3分别对应像素电极11的厚度为30nm、40nm和大于50nm,从图3中可看出,随着像素电极11的厚度的增大,可见光波段的反射率增大,而当像素电极11的厚度超过50nm之后,可见光波段的反射率达到极限,反射率无法再提升。因此,基于图1和图2所示的现有的硅基液晶器件的结构,若要进一步提升硅基液晶显示面板的反射率,需要提高开口率,那么,就需要采用更昂贵的次纳米线宽晶圆制程,这将导致成本的大幅提高。
因此,需要对现有的硅基液晶器件的结构进行改进,使得在提高开口率进而提高反射率的同时,还能够避免成本的明显提高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硅基液晶器件以及硅基液晶显示面板,使得在提高开口率进而提高反射率的同时,还能够避免成本的明显提高。
为实现上述目的,本发明提供了一种硅基液晶器件,包括:
衬底;
至少两个第一像素电极,所述第一像素电极的每个角为缺角,所有的所述第一像素电极沿着对角线的缺角的方向周期性地排布于所述衬底上;
第一绝缘层,填充于相邻两个所述第一像素电极的侧壁之间并覆盖所述第一像素电极;
至少两个第二像素电极,沿着对角线的方向周期性地排布于所述第一绝缘层上,且所述第二像素电极与所述第一像素电极相互交错设置,以使得对角线方向上的相邻两个所述第二像素电极的两相邻的角与对角线方向上的相邻两个所述第一像素电极的两相邻的缺角之间形成像素间隙;以及,
第二绝缘层,填充于相邻两个所述第二像素电极的侧壁之间。
可选的,所述第一像素电极的每个缺角为倒角。
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