[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质在审
| 申请号: | 202010878313.2 | 申请日: | 2020-08-27 |
| 公开(公告)号: | CN112447502A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
| 发明(设计)人: | 田中启一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 方法 存储 介质 | ||
1.一种基片处理装置,其特征在于,包括:
在处理容器内保持基片的保持部,其中所述基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蚀剂材料构成的图案;
使所述保持部旋转的旋转驱动部;和
具有多个光源的光源部,其对通过所述旋转驱动部旋转的所述保持部所保持的所述基片的表面照射包含真空紫外光的光,
使从所述光源部对所述基片的内侧照射光的照射量比从所述光源部对所述基片的外侧照射光的照射量大。
2.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:
使对所述基片的内侧照射光的光源的输出强度比对所述基片的外侧照射光的光源的输出强度大。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
使对所述基片的内侧照射光的时间和对所述基片的外侧照射光的时间彼此不同。
4.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
包括对所述处理容器内供给非活性气体的气体供给部和从所述处理容器内排出气体的气体排出部,
所述气体供给部和所述气体排出部在用所述光源部照射光的期间,一边使所述处理容器内的压力变化一边进行所述气体的供给和排出。
5.一种基片处理方法,其一边在处理容器内使基片旋转,一边从具有多个光源的光源部对所述基片的表面照射包含真空紫外光的光,其中所述基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蚀剂材料构成的图案,
所述基片处理方法的特征在于:
使从所述光源部对所述基片的内侧照射光的照射量比从所述光源部对所述基片的外侧照射光的照射量大。
6.一种计算机可读存储介质,其特征在于:
存储有用于使装置执行权利要求5所述的基片处理方法的程序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





