[发明专利]定位结构及其定位方法

说明书

本发明公开了一种定位结构，其用于物理气相沉积工艺铝腔体的沉积环和基座之间定位，沉积环设置于盖装在基座上，晶圆支撑于基座上，盖环盖装于沉积环上；多个定位凹槽形成与基座外环圆周；多个定位凸部形成在沉积环内壁上，基座就位后定位凸部落于定位凹槽中，且定位凸部和定位凹槽之间存在定位间隙；校准定为件为刚性结构形成有多个固定部，各固定部一一对应插入各定位凹槽和定位凸之间的定位间隙，各固定部之间通过连接部刚性连接。本发明还公开了一种用于物理气相沉积工艺铝腔体沉积环和基座之间位置校准的定位方法。本发明能快速、准确完成沉积环和基座之间的位置校准，能提高生产效率。

技术领域

本发明涉及集成电路生产制造领域，特别是涉及一种用于物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺铝腔体沉积环和基座之间的定位结构。本发明还涉及一种用于物理气相沉积工艺铝腔体沉积环和基座之间的定位方法。

背景技术

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺铝腔体的沉积环安装于加热基座上，硅片直径稍大于沉积环内径，腔体做真空坏境下传送位置校准时，是通过肉眼来进行判断，因为现在的部件没有明显的参照物，所以在一定程度上会影响校准位置的精确性需要经常进行位置校准维护。现有维护过程中只能通过塞尺塞来调整沉积环，从而达到与基座边缘间隙均匀，安装盖环时也会使沉积环发生位移。位置校准定位调整过程较为繁琐，且容易产生误差。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明要解决的技术问题是提供一种用于物理气相沉积工艺铝腔体沉积环和基座之间位置校准的定位结构。

本发明要解决的另一技术问题是提供一种用于物理气相沉积工艺铝腔体沉积环和基座之间位置校准的定位方法。

为解决上述技术问题，本发明提供一种用于物理气相沉积工艺铝腔体的沉积环和基座之间位置校准的定位结构，沉积环盖装在基座上，晶圆支撑于基座上，所述基座是具有静电吸附作用的加热器，盖环盖装于沉积环上；

多个定位凹槽，其形成与基座外环圆周；

多个定位凸部，其形成在沉积环内壁上，其数量和位置与定位凹槽一一对应，基座就位后定位凸部落于定位凹槽中，且定位凸部和定位凹槽之间存在定位间隙；

校准定位件，其为刚性结构，其形成有多个固定部，各固定部一一对应插入各定位凹槽和定位凸之间的定位间隙，各固定部之间通过连接部刚性连接。

可选择的，进一步改进所述的定位结构，定位凹槽和定位凸部的数量为三个。在实际使用中，定位凹槽和定位凸部的数量并不限定于三个。

可选择的，进一步改进所述的定位结构，固定部以过盈方式插入各定位凹槽和定位凸之间。

可选择的，进一步改进所述的定位结构，连接部是自基座中心向各定位凹槽方向延伸的刚性长条形结构。

可选择的，进一步改进所述的定位结构，其能用于130nm以上、90nm、65nm、55nm、45nm、40nm、38nm、28nm、22nm、20nm、16nm和/或16nm以下工艺。

本发明提供一种用于物理气相沉积工艺铝腔体的沉积环和基座之间位置校准的定位方法，包括以下步骤：