[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010875372.4 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113451247A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 水上诚;平川达也;井口知洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其具备：
半导体层；
金属层；及
接合层，所述接合层设置于所述半导体层与所述金属层之间且包含多个银粒子和存在于所述多个银粒子之间的含有金的区域。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个银粒子的至少一部分彼此相接。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述区域将所述多个银粒子覆盖。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接合层包含空隙，所述区域将所述空隙的内壁覆盖。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步具备第1中间层，所述第1中间层设置于所述半导体层与所述接合层之间且含有镍。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第1中间层的金的原子浓度比所述接合层的金的原子浓度低。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其进一步具备第2中间层，所述第2中间层设置于所述半导体层与所述第1中间层之间且含有硅化镍。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其进一步具备第3中间层，所述第3中间层设置于所述第1中间层与所述第2中间层之间且含有钛。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个银粒子的平均粒径为1nm～100nm。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接合层中所含的金(Au)相对于所述接合层中所含的金(Au)与银(Ag)的总和的原子比(Au/(Au+Ag))为0.5％～20％。
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