[发明专利]一种超结MOSFET有效
| 申请号： | 202010869506.1 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111969040B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 任敏;郭乔;蓝瑶瑶;李吕强;高巍;李泽宏;张金平;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet | ||
1.一种超结MOSFET，包括金属化漏极（1）、位于金属化漏极（1）之上的重掺杂第一导电类型半导体衬底（2）、位于重掺杂第一导电类型半导体衬底（2）之上的轻掺杂第一导电类型半导体区（3）；所述轻掺杂第一导电类型半导体区（3）顶部两侧具有第二导电类型半导体体区（5）；所述第二导电类型半导体体区（5）之间为第一导电类型轻掺杂JFET区（8）；所述第二导电类型半导体体区（5）中具有并列设置的第二导电类型半导体重掺杂接触区（6）和第一导电类型半导体源区（7），所述第一导电类型半导体源区（7）与第一导电类型轻掺杂JFET区（8）之间的第二导电类型半导体体区（5）为沟道区；重掺杂多晶硅电极（10）覆盖在沟道区、第一导电类型JFET区（8）和部分第一导电类型半导体源区（7）上表面；重掺杂多晶硅电极（10）与第一导电类型半导体源区（7）、沟道区和JFET区（8）之间由栅氧层（9）隔离；所述第二导电类型半导体重掺杂接触区（6）的上表面和第一导电类型半导体源区（7）的部分上表面与金属化源极（11）直接接触；金属化源极（11）与多晶硅电极（10）之间由绝缘介质层电气隔离；其特征在于，第二导电类型半导体体区（5）的底部还具有多个第二导电类型半导体柱，所述第二导电类型半导体柱的顶部与第二导电类型半导体体区（5）接触，相邻第二导电类型半导体柱的侧面接触；从远离第一导电类型轻掺杂JFET区（8）的一端到靠近第一导电类型轻掺杂JFET区（8）的一端，第二导电类型半导体柱的长度和掺杂浓度依次递减。
2.根据权利要求1所述的一种超结MOSFET，其特征在于，所述多个第二导电类型半导体柱的杂质总量和轻掺杂第一导电类型半导体区（3）的杂质总量满足电荷平衡。
3.根据权利要求2所述的一种超结MOSFET，其特征在于所述第一导电类型半导体为n型半导体，所述第二导电类型半导体为p型半导体；或者所述第一导电类型半导体为p型半导体，所述第二导电类型半导体为n型半导体。
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