[发明专利]一种用于硅片的外延生长的基座、装置及方法

权利要求书

1.一种用于硅片的外延生长的基座，其特征在于，包括：

用于承载所述硅片的圆盘形承载部；

从所述圆盘形承载部径向向外延伸的环形周缘，其中，所述环形周缘中形成有多个通孔，使得所述环形周缘的开孔率从与所述硅片的100 晶向对应的径向方向至与所述硅片的相邻于所述100 晶向的110 晶向对应的径向方向逐渐增大，其中，所述开孔率为所述环形周缘的预定区域内的通孔的总面积与所述预定区域的面积之比。

2.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述通孔的孔壁内表面涂覆有SiC膜。

3.根据权利要求2所述的基座，其特征在于，所述SiC膜的厚度大于10μm。

4.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述通孔在两端处分别具有倒角部分。

5.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述环形周缘的与所述硅片的100 晶向对应的径向方向上的开孔率为零。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的基座，其特征在于，所述多个通孔具有相同的孔径。

7.根据权利要求6所述的基座，其特征在于，所述多个通孔沿径向靠近所述基座的中心分布在所述环形周缘上。

8.根据权利要求6所述的基座，其特征在于，所述孔径大于0.3mm。

9.一种用于硅片的外延生长的装置，其特征在于，包括：

根据权利要求1至8中任一项所述的基座；

用于容纳所述基座的反应腔室，其中，所述基座将所述反应腔室分隔成上反应腔室和下反应腔室，所述硅片放置在所述上反应腔室中；

用于将硅源气体输送到所述上反应腔室中以在所述硅片上生长外延层的进气口；

用于将外延生长产生的反应尾气排出所述反应腔室的排气口。

10.一种用于硅片的外延生长的方法，其特征在于，所述方法应用于根据权利要求9所述的装置，所述方法包括：

将所述硅片在所述基座上放置成使得所述硅片的100 晶向与所述环形周缘的开孔率最小的径向方向对准并且使得所述硅片的110 晶向与所述环形周缘的开孔率最大的径向方向对准；

经由所述进气口将硅源气体输送到所述上反应腔室中以在所述硅片上生长外延层；

所述硅源气体从所述上反应腔室穿过所述基座的环形周缘中形成的所述多个通孔排出到所述下反应腔室中，以使在所述硅片上生长的外延层的厚度均匀；

经由所述排气口将包括排出到所述下反应腔室的硅源气体的反应尾气排出所述反应腔室。