[发明专利]氢化镁的制造方法和四氢硼酸盐的制造方法

权利要求书

1.一种氢化镁的制造方法，具备等离子体处理工序，即，将选自镁、氢氧化镁和氧化镁中的至少一种镁系原料与氢化镁的原料混合物暴露于氢等离子体。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，边加热所述原料混合物边实施所述等离子体处理工序。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，边使所述原料混合物流动边实施所述等离子体处理工序。

4.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，边供给热电子边实施所述等离子体处理工序。

5.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述氢化镁的质量相对于所述镁系原料的质量的比为1/1000～1/1。

6.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，在所述等离子体处理工序前进一步具备原料混合物制备工序，即，将所述镁系原料和所述氢化镁混合而得到所述原料混合物。

7.一种四氢硼酸盐的制造方法，具备机械化学处理工序，即，对含有硼酸盐和通过权利要求1所述的制造方法得到的氢化镁的被处理物实施机械化学处理。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，使用介质搅拌磨机实施所述机械化学处理工序。

9.一种四氢硼酸盐的制造方法，具备高温高压处理工序，即，对含有硼酸盐和通过权利要求1所述的制造方法得到的氢化镁的被处理物在温度350℃以上且绝对压力0.2MPa以上的条件下实施热处理。

10.根据权利要求7或9所述的制造方法，其中，所述硼酸盐为偏硼酸钠。

11.一种四氢硼酸盐的制造方法，具备等离子体处理工序，即，将硼酸盐与通过权利要求1所述的制造方法得到的氢化镁的混合物暴露于氢等离子体或者非活性气体等离子体。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，所述氢等离子体是使用包含氢气和烃气体中的至少一种的原料气体而生成的。

13.根据权利要求11或12所述的制造方法，其中，所述非活性气体等离子体是使用包含选自氮气、氩气、氦气和氖气中的至少一种的原料气体而生成的。

14.根据权利要求11或12所述的制造方法，其中，所述氢等离子体和所述非活性气体等离子体为微波等离子体或者射频等离子体。

15.根据权利要求11或12所述的制造方法，在所述等离子体处理工序前进一步具备将所述混合物加热的预备加热工序。

16.根据权利要求11或12所述的制造方法，其中，边加热所述混合物边实施所述等离子体处理工序。

17.根据权利要求11或12所述的制造方法，其中，边使所述混合物流动边实施所述等离子体处理工序。

18.根据权利要求11或12所述的制造方法，其中，所述硼酸盐的平均粒径为500μm以下。

19.根据权利要求11或12所述的制造方法，其中，所述硼酸盐为偏硼酸钠。

20.一种四氢硼酸盐的制造方法，具备热处理工序，即，将硼酸盐与通过权利要求1所述的制造方法得到的氢化镁的混合物在含有氢(H)作为构成元素的气体气氛下加热至350℃以上。

21.根据权利要求20所述的制造方法，其中，边使所述混合物流动边实施所述热处理工序。