[发明专利]自适应施加电压脉冲以稳定存储器单元电压电平在审

专利信息
申请号: 202010861411.5 申请日: 2020-08-25
公开(公告)号: CN112435707A 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 郎慕蓉;谢廷俊;周振明 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C29/02 分类号: G11C29/02;G11C5/14
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 自适应 施加 电压 脉冲 稳定 存储器 单元 电平
【权利要求书】:

1.一种方法,其包括:

接收对存储器装置的存储器单元进行调节操作的请求;

响应于接收到所述请求,由处理装置向所述存储器装置的所述存储器单元施加电压脉冲组,所述电压脉冲组中的电压脉冲将所述存储器装置的所述存储器单元置于与所限定的电压状态相关联的电压电平;

确定与处于所述电压电平的所述存储器装置的所述存储器单元相关联的误码率组;

确定所述误码率组是否满足阈值条件;以及

响应于确定所述误码率组不满足所述阈值条件,将另一电压脉冲组施加到所述存储器装置的所述存储器单元。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述所限定的电压状态与经编程状态相关联,所述方法进一步包括:

确定与将存储器单元置于所述经编程状态相关联的第一电压脉冲持续时间;以及

以长于所述第一电压脉冲持续时间的第二电压脉冲持续时间施加所述电压脉冲组。

3.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

响应于确定所述误码率组满足所述阈值条件,确定不将另一电压脉冲组施加到所述存储器装置的所述存储器单元。

4.根据权利要求1所述的方法,其中确定所述误码率组包括:

确定与所述存储器装置的所述存储器单元的第一部分相关联的第一误码率,所述存储器单元的第一部分具有与置位状态相关联的第一电压电平;以及

确定与所述存储器装置的所述存储器单元的第二部分相关联的第二误码率,所述存储器单元的第二部分具有与复位状态相关联的第二电压电平。

5.根据权利要求4所述的方法,其中确定所述第一误码率包括:

确定用于所述存储器装置的所述存储器单元的数据映射模式,其中所述数据映射模式将与所述置位状态相关联的第一电压电平分配给所述存储器装置的所述存储器单元的第一部分,并且将与所述复位状态相关联的第二电压电平分配给所述存储器装置的所述存储器单元的第二部分;

对所述存储器装置执行编程操作,以鉴于所述数据映射模式将所述存储器装置的所述存储器单元设置为电压电平;

对所述存储器装置的所述存储器单元执行读操作,以生成结果组;

将所述读操作的所述结果组与所述数据映射模式进行比较;以及

基于比较确定所述第一误码率。

6.根据权利要求4所述的方法,其中确定所述第二误码率包括:

确定用于所述存储器装置的所述存储器单元的数据映射模式,其中所述数据映射模式将与所述复位状态相关联的电压状态分配给所述存储器装置的所述存储器单元的至少一部分;

对所述存储器装置执行编程操作,以鉴于所述数据映射模式将所述存储器装置的所述存储器单元设置为电压电平;

执行所述存储器装置的所述存储器单元的读操作;

将所述读操作的结果组与所述数据映射模式进行比较;以及

鉴于比较确定所述第二误码率。

7.根据权利要求4所述的方法,其中确定所述误码率组是否满足所述阈值条件包括:

确定与具有与所述置位状态相关联的所述电压电平的所述存储器单元的第一最大误码率相关联的第一阈值数;

确定与具有与所述复位状态相关联的所述电压电平的所述存储器单元的第二最大误码率相关联的第二阈值数;

确定所述第一误码率是否满足所述第一阈值数;以及

确定所述第二误码率是否满足所述第二阈值数。

8.一种方法,其包括:

接收对存储器装置执行调节操作的请求,所述调节操作包括向所述存储器装置的存储器单元施加多个电压脉冲;

通过处理装置将第一电压脉冲组施加到所述存储器装置的所述存储器单元,所述第一电压脉冲组中的电压脉冲将所述存储器装置的所述存储器单元置于与所限定的电压状态相关联的电压电平;以及

将一或多个第二电压脉冲组施加到所述存储器装置的所述存储器单元,直到所述存储器单元的误码率组和先前测量的所述存储器单元的误码率组之间的差满足阈值条件。

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