[发明专利]微机电系统磁阻传感器、传感器单体及电子设备

权利要求书

1.一种微机电系统磁阻传感器，包括：

第一支撑件；

第一磁阻，设置在第一支撑件上，以及第一磁阻的第一钉扎方向是X方向；

第二支撑件；

磁场形成元件，设置在第二支撑件上，并形成施加于第一磁阻的磁场，

其中，在待感测物理量的作用下，第一支撑件相对于第二支撑件移动，以使得磁场形成元件施加于第一磁阻的磁场发生变化，从而改变第一磁阻的阻值，由此产生感测信号，以及第二支撑件相对于第一支撑件移动的方向是Z方向，

其中，X方向和Z方向所构成的平面是XZ平面，Y方向垂直于XZ平面，

其中，在静态工作状态下，磁场形成元件施加于第一磁阻的磁场具有Y方向的偏置磁场分量。

2.根据权利要求1所述的微机电系统磁阻传感器，其中，第二支撑件是振膜或悬臂梁，以及

其中，在所述振膜或悬臂梁上设置应力结构以使得磁场形成元件相对于第一磁阻产生倾斜，从而生成所述Y方向的偏置磁场分量。

3.根据权利要求1所述的微机电系统磁阻传感器，其中，第一支撑件是衬底并包括具有倾斜表面的结构，第一磁阻设置在倾斜表面上，以使得磁场形成元件相对于第一磁阻产生倾斜，从而生成所述Y方向的偏置磁场分量。

4.根据权利要求1-3中的任何一项所述的微机电系统磁阻传感器，其中，X方向和Y方向所构成的平面是XY平面，Y方向和Z方向所构成的平面是YZ平面，

其中，磁场形成元件是电流导线，电流导线在YZ平面内相对于XY平面倾斜，从而生成所述Y方向的偏置磁场分量。

5.根据权利要求4所述的微机电系统磁阻传感器，其中，电流导线在YZ平面内相对于XY平面倾斜的角度大于等于0.1°且小于等于10°。

6.根据权利要求1-3中的任何一项所述的微机电系统磁阻传感器，其中，Y方向和Z方向所构成的平面是YZ平面，

其中，磁场形成元件是磁体，磁体的南北极轴线在YZ平面内相对于XZ平面倾斜。

7.根据权利要求6所述的微机电系统磁阻传感器，其中，磁体的南北极轴线在YZ平面内相对于XZ平面倾斜的角度大于等于0.1°且小于等于10°。

8.根据权利要求6所述的微机电系统磁阻传感器，还包括：

第三支撑件；以及

第二磁阻，设置在第三支撑件上，以及第二磁阻的第二钉扎方向是X方向；

其中，在待感测物理量的作用下，第三支撑件相对于第二支撑件移动，以使得磁场形成元件施加于第二磁阻的磁场发生变化，从而改变第二磁阻的阻值，由此产生感测信号，以及第二支撑件相对于第三支撑件移动的方向是Z方向，

其中，在静态工作状态下，磁场形成元件施加于第二磁阻的磁场具有Y方向的偏置磁场分量。

9.根据权利要求8所述的微机电系统磁阻传感器，其中，由第一磁阻和第二磁阻的差分输出信号产生所述感测信号。

10.一种传感器单体，包括单体外壳、根据权利要求1所述的微机电系统磁阻传感器以及集成电路芯片，其中，所述微机电系统磁阻传感器以及集成电路芯片被设置在所述单体外壳中。

11.一种电子设备，包括根据权利要求10所述的传感器单体。