[发明专利]一种互补式低漂移的恒流源及其控制方法

权利要求书

1.一种互补式低漂移的恒流源，其特征在于，所述恒流源包括等效电阻以及由NPN管和PNP管构成的互补电流镜；所述等效电阻产生相对恒定电流，并提供给互补电流镜和MOS电容；在一个NPN管和一个PNP管之间设置有所述MOS电容；所述MOS电容在上电瞬间通过交流短路拉低NPN管集电极的电位，从而使得PNP管的基极电位被拉低，互补电流镜中各个PNP管快速导通；通过金属膜电阻对所述互补电流镜进行修调，并以所述互补电流镜通过反馈补偿的方式产生温漂较小的PTAT电流；所述等效电阻包括提供微电流的常规电阻、N沟道结型场效应管或者P沟道结型场效应管；

其中，所述恒流源的连接方式包括：

第二PNP管、第三PNP管的发射级与上输出端连接，第二PNP管以及第三PNP管的基极均与第一PNP管的发射级、第三PNP管的集电极、N沟道结型场效应管的漏极连接，第二PNP管集电极以及第一PNP管的基极均与第三NPN管的集电极连接，MOS电容与第一PNP管的基极和集电极连接，第一PNP管的集电极、第三NPN管基极、第二NPN管的集电极分别与N沟道结型场效应管的源极连接；第一NPN管的基极和集电极均与第二NPN管基极、第三NPN管发射级连接，第一NPN管发射级与金属膜电阻连接，第二NPN管发射级、金属膜电阻分别与下输出端连接，N沟道结型场效应管的栅极和负电源连接；

或者，第二PNP管、第三PNP管的发射级与上输出端连接，第二PNP管以及第三PNP管的基极均与第一PNP管的发射级、第三PNP管的集电极、P沟道结型场效应管的源极连接，第二PNP管集电极以及第一PNP管的基极均与第三NPN管的集电极连接，MOS电容与第一PNP管的基极和集电极连接，第一PNP管的集电极、第三NPN管基极、第二NPN管的集电极分别与P沟道结型场效应管的漏极连接；第一NPN管的基极和集电极均与第二NPN管基极、第三NPN管发射级连接，第一NPN管发射级与金属膜电阻连接，第二NPN管发射级、金属膜电阻分别与下输出端连接，P沟道结型场效应管的栅极和正电源连接；

或者，第二PNP管、第三PNP管的发射级与上输出端连接，第二PNP管以及第三PNP管的基极均与第一PNP管的发射级、第三PNP管的集电极、提供微电流的常规电阻的一端连接，第二PNP管集电极以及第一PNP管的基极均与第三NPN管的集电极连接，MOS电容与第一PNP管的基极和集电极连接，第一PNP管的集电极、第三NPN管基极、第二NPN管的集电极分别与提供微电流的常规电阻的另一端连接；第一NPN管的基极和集电极均与第二NPN管基极、第三NPN管发射级连接，第一NPN管发射级与金属膜电阻连接，第二NPN管发射级、金属膜电阻分别与下输出端连接。

2.根据权利要求1所述的一种互补式低漂移的恒流源，其特征在于，所述NPN管和所述PNP管均为纵向管。

3.根据权利要求1所述的一种互补式低漂移的恒流源，其特征在于，所述第二PNP管与第三PNP管相同。

4.根据权利要求1所述的一种互补式低漂移的恒流源，其特征在于，所述金属膜电阻设置在等效电阻直接连接PNP管的发射极与上输出端之间或者在等效电阻没有直接连接的NPN的发射极与下输出端之间。

5.根据权利要求1所述的一种互补式低漂移的恒流源，其特征在于，所述金属膜电阻为低温漂的电阻，并可采用正负温度系数的不同类型来组合实现。

6.一种用于如权利要求1～5任一所述互补式低漂移的恒流源的控制方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

等效电阻提供相对恒定电流，并输入到互补电流镜和MOS电容中；

在上电瞬间，所述MOS电容通过交流短路拉低NPN管集电极的电位，使得该PNP管的基极电位被拉低，让所述互补电流镜中各个PNP管快速导通；

所述互补电流镜通过金属膜电阻进行修调，调整所输出的PTAT电流的电流值大小。