[发明专利]一种用于抗辐射场景的电压和电流基准电路

权利要求书

1.一种用于抗辐射场景的电压和电流基准电路，包括启动电路模块和基准产生模块，其特征在于：

启动电路模块：在电源使能时使所述基准产生模块从零状态转换到工作状态，基准产生模块进入工作状态后低消耗待机，启动电路模块提供给基准产生模块所需的偏置电压Vbias；

基准产生模块：基准产生模块包括并联的第一支路和第二支路，其中第一支路包括串联的第五NMOS管NM5和第四NMOS管NM4，第二支路包括串联的第一电阻R1和第六NMOS管NM6，第五NMOS管NM5的源极连接第四NMOS管NM4的栅极和漏极，电阻R1的一端连接第六NMOS管NM6的栅极和漏极，第四NMOS管NM4的源极和第六NMOS管NM6的源极共地；

所述基准产生模块还包括第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4和第七NMOS管NM7；

所述第三PMOS管PM3的栅极和第四PMOS管PM4的栅极、漏极连接，并连接偏置电压Vbias，所述第三PMOS管PM3的源极和第四PMOS管PM4的源极连接，所述第四PMOS管PM4镜像输出基准电流Iref；

所述第三PMOS管PM3的漏极连接到第一支路中的第五NMOS管NM5的栅极、漏极和电阻R1的另一端；所述第四PMOS管PM4的漏极连接到第七NMOS管NM7的漏极，所述第七NMOS管NM7的栅极连接到第六NMOS管NM6的栅极并输出第一基准电压Vref1，第七NMOS管NM7的源极和第四NMOS管NM4的源极、第六NMOS管NM6的源极共地；

将第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM4构成电流镜结构，其宽长比需要设置为特殊设计比例2：1。

2.根据权利要求1所述的一种用于抗辐射场景的电压和电流基准电路，其特征在于：所述第四NMOS管NM4的漏极上依次串联第三电阻R3和第二电阻R2，所述第四NMOS管NM4的栅极和第五NMOS管NM5的源极均连接到第二电阻R2远离第三电阻R3的一端，所述第二电阻R2和第三电阻R3之间输出第二基准电压Vref2。

3.根据权利要求2所述的一种用于抗辐射场景的电压和电流基准电路，其特征在于：所述第六NMOS管NM6的漏极串联第四电阻R4，所述第一电阻R1的一端和第六NMOS管NM6的栅极均连接到第四电阻R4远离第六NMOS管NM6漏极的一端。

4.根据权利要求2所述的一种用于抗辐射场景的电压和电流基准电路，其特征在于：所述第五NMOS管NM5的漏极上依次串联第六电阻R6和第五电阻R5，所述第五NMOS管NM5的栅极连接到第五电阻R5远离第六电阻R6的一端，所述第五电阻R5和第六电阻R6之间输出第三基准电压Vref3。

5.根据权利要求1所述的一种用于抗辐射场景的电压和电流基准电路，其特征在于：所述启动电路模块包括第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第一PMOS管PM1和第二PMOS管PM2；

所述第一PMOS管PM1的源极连接第二PMOS管PM2的漏极和源极，并连接工作电压VDD；第一PMOS管PM1的栅极连接第三NMOS管NM3的漏极，并输出偏置电压Vbias；

所述第二PMOS管PM2的栅极连接第三NMOS管NM3的栅极和第二NMOS管NM2的漏极；

所述第一NMOS管NM1的栅极连接第一NMOS管NM1的漏极、第二NMOS管NM2的栅极并连接到第一PMOS管PM1的漏极；

所述第一NMOS管NM1的源极、第二NMOS管NM2的源极和第三NMOS管NM3的源极共地。