[发明专利]图像传感器装置

说明书

公开了能够减小芯片尺寸和功耗的图像传感器装置。图像传感器装置包括：基板，其设置有被布置为彼此面对的第一表面和第二表面；焊盘，其设置在基板的第一表面；线层，其设置在基板的第二表面下方；第一硅通孔(TSV)，其形成为贯穿基板和线层，并设置在焊盘的一侧；第二TSV，其形成为贯穿基板和线层，并设置在焊盘的另一侧，以及电源开关，其设置在第一TSV和第二TSV之间。

技术领域

本专利文档中公开的技术和实现总体上涉及图像传感器装置，并且更具体地涉及用于减小芯片尺寸和功耗的技术。

背景技术

图像传感器将光学图像转换为电信号。近年来，随着计算机工业和通信工业的不断发展，在例如数码相机、便携式摄像机、个人通信系统(PCS)、游戏机、监控相机、医疗微型相机等的各个领域中，对高质量和高性能图像传感器的需求正在迅速增长。

具体地，金属氧化物半导体(MOS)图像传感器可以更容易驱动，并且可以使用各种扫描方案来实现。MOS图像传感器可以包括被配置为感测入射光的幅度的一个或更多个光电转换元件以及被配置为输出光电转换元件中存储的光信号的多层金属线层。然而，入射光可能被金属线层反射，并且可能被层间绝缘膜吸收，导致灵敏度降低。另外，反射光可能被吸收到邻近(或相邻)的像素中，导致串扰的发生。

因此，已经提出了一种改进的结构，该结构抛光基板的背侧并接收从基板的背侧入射的光。改进的结构可以被称为背照式(BSI)图像传感器。由于在BSI图像传感器中入射光的背侧上方未形成金属线层，因此入射光不会被金属线层反射，或者不会出现层间绝缘膜吸收光。

发明内容

所公开的技术的各种实施方式涉及能够通过简化电源布线路径来减小芯片尺寸和功耗的图像传感器装置。

根据所公开的技术的实施方式，图像传感器装置可以包括：基板，其包括被布置为彼此面对的第一表面和第二表面；焊盘，其设置在基板的第一表面；线层，其设置在基板的第二表面下方；第一硅通孔(TSV)，其形成为贯穿基板和线层，并设置在焊盘的一侧；第二TSV，其形成为贯穿基板和线层，并设置在焊盘的另一侧；以及电源开关，其设置在第一TSV和第二TSV之间。

根据所公开的技术的另一实施方式，图像传感器装置可以包括：基板，其中限定了焊盘区域和与焊盘区域邻近的电路区域；焊盘，其在焊盘区域中设置于基板的第一表面；线层，其在焊盘区域和电路区域中设置于基板的第二表面下方；第一硅通孔(TSV)，其形成为在焊盘区域中贯穿基板和线层，并且设置在焊盘的一侧；第二TSV，其形成为在电路区域中贯穿基板和线层，并设置在焊盘的另一侧；以及电源开关，其设置在第一TSV和第二TSV之间。

根据所公开的技术的又一实施方式，图像传感器装置可以包括：第一芯片，其形成为通过接收焊盘接收电源电压，并被配置为向逻辑电路区域提供内部电力；以及第二芯片，其层叠在第一芯片上方。第二芯片可以包括：基板，其包括被布置为彼此面对的第一表面和第二表面；焊盘，其设置在基板的第一表面；线层，其设置在基板的第二表面下方；第一硅通孔(TSV)，其形成为贯穿基板和线层，并设置在焊盘的一侧；第二TSV，其形成为贯穿基板和线层，并设置在焊盘的另一侧，以及电源开关，其设置在第一TSV和第二TSV之间。

应当理解，所公开的技术的前述概括描述和以下详细描述二者都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步描述。

附图说明

当结合附图参考以下详细描述时，所公开的技术的以上和其它特征以及有益方面将变得显而易见。

图1是例示根据本公开的实施方式的图像传感器装置的示意性平面图。

图2是例示根据本公开的实施方式的图像传感器装置的一些组成元件的框图。

图3是例示图1所示的图像传感器装置的截面图。

具体实施方式