[发明专利]超导纳米线及超导纳米线单光子探测器

权利要求书

1.一种超导纳米线，其特征在于，所述超导纳米线至少包括：

n层电隔离层及n+1层超导纳米材料层，所述超导纳米材料层与所述电隔离层依次交替叠置；

其中，各超导纳米材料层的厚度从下至上依次递增、宽度从下至上依次递减，各超导纳米材料层的材料相同，具有两层以上电隔离层时各电隔离层的材料相同，n为大于等于1的自然数。

2.根据权利要求1所述的超导纳米线，其特征在于：各超导纳米材料层的材料为低温超导材料。

3.根据权利要求1所述的超导纳米线，其特征在于：各超导纳米材料层的厚度设定为1nm-10nm。

4.根据权利要求3所述的超导纳米线，其特征在于：各超导纳米材料层的厚度从下至上依次递增0.5nm-1.0nm。

5.根据权利要求1所述的超导纳米线，其特征在于：各超导纳米材料层的宽度设定为30nm-120nm。

6.根据权利要求5所述的超导纳米线，其特征在于：各超导纳米材料层的宽度从下至上依次递减5nm-10nm。

7.根据权利要求1所述的超导纳米线，其特征在于：电隔离层的厚度设定为1nm-5nm。

8.一种超导纳米线单光子探测器，其特征在于，所述超导纳米线单光子探测器至少包括：

形成于衬底上的光学结构；

以及如权利要求1～7任意一项所述的超导纳米线，所述超导纳米线形成于所述光学结构上。

9.根据权利要求8所述的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述光学结构包括全介质反射镜或金属反射镜。

10.根据权利要求9所述的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述全介质反射镜包括SiO₂与SiO的交替叠层结构、SiO₂与TiO₂的交替叠层结构或者SiO₂与Ta₂O₅的交替叠层结构。

11.根据权利要求8～10任意一项所述的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述超导纳米线单光子探测器还包括形成于所述超导纳米线上的薄膜覆盖层。