[发明专利]一种电容器用复合电极材料及其制备方法

说明书

本发明适用于电容器材料技术领域，提供了一种电容器用复合电极材料及其制备方法，该复合电极材料包括：芯材，包括MgTiO₃材料；以及包裹在所述芯材外侧的壳层，包括Ba_6‑3xNd_8+2xTi₁₈O₅₄粉体。本发明实施例通过将MgTiO₃材料和Ba_6‑3xNd_8+2xTi₁₈O₅₄粉体进行复配使用，并形成“壳‑芯”结构，可以使复合电极材料的温度系数绝对值调整至接近于0的水平，这有利于电容器温度稳定性的提高，而且还能阻隔复合电极材料的漏电导通路，从而可以有效提高电容器的品质因素和耐电压能力。

技术领域

本发明属于电容器材料技术领域，尤其涉及一种电容器用复合电极材料及其制备方法。

背景技术

现代电子设备的发展趋势是小型化、集成化和多元化，该趋势对电子元器件的要求为体积小，损耗低且稳定性高。多层片式瓷介电容器具有体积小、性能优良和稳定性高等特点，产品因顺应了电子设备的发展趋势，因此正在以非常快的速度取代电解电容、钽电容等传统电容器。目前，多层片式瓷介电容器已占到总电容使用量的60%以上，而在新型的电子产品（如液晶电视、手提电脑、便携式摄像机、移动通信设备和汽车电子等）中，片式电容器的使用量更是占到总电容器使用量的95%以上。

在多层片式瓷介电容器的细分产品中，市场对高频高Q（品质因数）电容器的需求最为迫切。其原因主要是高频高Q电容器的性能可以满足现代移动通信设备的使用要求，而通信行业的迅速发展和3G、4G网络的普及推广，使得市场对该种高端电容产品的需求量猛增。在现代的通信设备（如3G手机，移动通信基站，直放站，军用电台，雷达等）中，高Q值多层片式瓷介电容器的使用量占到了总电容器使用量的50%以上，如军用雷达，每个信号通道都需要用到几个高频高Q电容器，而一台雷达的信号通道数量是以数十万计的。我国为加快实现军队现代化，大幅度投入国防建设，装备的快速更新换代，对高频高Q电容器的需求大幅增长。而在民用市场，随着3G通信的全面应用，4G通信的快速推广，更是给高频高Q多层片式瓷介电容器行业的发展带来了巨大的市场。

然而，目前国内用于电容器的电极材料存在品质因数较小的问题，因此相关科研和技术开发项目的实施迫在眉睫。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种电容器用复合电极材料，旨在解决背景技术中提出的问题。

本发明实施例是这样实现的，一种电容器用复合电极材料，其包括：

芯材，包括MgTiO₃材料；以及

包裹在所述芯材外侧的壳层，包括Ba_6-3xNd_8+2xTi₁₈O₅₄粉体，其中，0≤x≤1.8；所述MgTiO₃材料与所述Ba_6-3xNd_8+2xTi₁₈O₅₄粉体的摩尔比为(0.2~0.4):(0.6~0.8)。

作为本发明实施例的一个优选方案，所述MgTiO₃材料与所述Ba_6-3xNd_8+2xTi₁₈O₅₄粉体的摩尔比为(0.25~0.35):(0.65~0.75)。

作为本发明实施例的另一个优选方案，所述Ba_6-3xNd_8+2xTi₁₈O₅₄粉体中，0.8≤x≤1.2。

本发明实施例的另一目的在于提供一种上述的电容器用复合电极材料的制备方法，其包括以下步骤：