[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示面板有效
| 申请号: | 202010826310.4 | 申请日: | 2020-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN111933671B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
| 发明(设计)人: | 宋尊庆;陈登云 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 面板 | ||
本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示面板,涉及显示技术领域,该显示基板能够有效避免绑定端子的边缘被刻蚀,从而提高产品质量。一种显示基板,包括绑定区,所述绑定区包括衬底和位于所述衬底之上的多个绑定单元,所述绑定单元包括:绑定部,所述绑定部包括第一层间介质层和绑定端子,所述绑定端子覆盖所述第一层间介质层;第一平坦部,所述第一平坦部至少包覆所述绑定端子的部分边缘。本发明适用于显示基板的制作。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示面板。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示产品凭借低功耗、宽色域、轻薄化、可异形化等优势逐渐占领了消费者的市场,广泛应用于携带电子、穿戴设备、即时通讯、虚拟现实等领域。
OLED显示面板包括显示区和绑定区(pad)。绑定区包括与芯片端子电连接的绑定端子,显示区包括薄膜晶体管和OLED发光单元。绑定端子一般与薄膜晶体管的源漏极(SD)同层设置。而为了获得较低的电阻,源漏极采用Ti/Al/Ti(钛/铝/钛)的叠层结构。为了提高OLED发光单元的出光效率,OLED发光单元的阳极采用ITO/Ag/ITO(氧化铟锡/银/氧化铟锡)的叠层结构。Ag和ITO很难进行干刻,一般采用湿刻进行制作。那么,采用湿法刻蚀形成阳极时,绑定端子边缘中的Al会被银刻蚀液刻蚀,形成undercut(底切);同时Al被银刻蚀液刻蚀后,会造成Ag析出,析出的Ag能够导致相邻两个绑定端子短路或者移动到显示区产生GDS(Growing Dark Spot,不断变大的黑点)现象,从而降低产品质量。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示面板,该显示基板能够有效避免绑定端子的边缘被刻蚀,从而提高产品质量。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供了一种显示基板,包括绑定区,所述绑定区包括衬底和位于所述衬底之上的多个绑定单元,所述绑定单元包括:
绑定部,所述绑定部包括第一层间介质层和绑定端子,所述绑定端子覆盖所述第一层间介质层;
第一平坦部,所述第一平坦部至少包覆所述绑定端子的部分边缘。
可选的,所述绑定单元还包括:
凹槽,所述凹槽至少位于所述绑定部的一侧;所述凹槽的开口端沿垂直于所述衬底的方向到所述衬底的距离小于所述第一层间介质层沿垂直于所述衬底的方向到所述衬底的距离,所述绑定端子的至少部分边缘位于所述凹槽内;所述第一平坦部位于所述凹槽内。
可选的,所述绑定部还包括连接线,所述第一层间介质层覆盖所述连接线,所述绑定端子与所述连接线电连接;
所述绑定区还包括位于所述衬底和多个所述绑定单元之间的第一绝缘层,各所述绑定单元的所述连接线分别与所述第一绝缘层相接触;
所述绑定单元中,所述凹槽的底端位于所述第一绝缘层内。
可选的,所述绑定单元还包括引线部;所述引线部包括引线和第二层间介质层,所述第二层间介质层覆盖所述引线,所述引线与所述连接线相连;
所述绑定单元中,所述绑定部的四周区域中除所述引线所在区域外均设置所述凹槽。
可选的,所述显示基板还包括与所述绑定区相连的显示区,所述显示区包括:多个阵列排布的子像素,所述子像素包括薄膜晶体管和覆盖所述薄膜晶体管的第二平坦部,所述第二平坦部包括平坦过孔,所述平坦过孔的孔深小于所述凹槽的槽深;
所述第一平坦部与所述第二平坦部同层设置。
可选的,所述显示区还包括:多条栅线,相邻两排所述子像素之间设置有一条所述栅线,多条所述栅线分别与多条所述引线对应相连;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





