[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示面板有效
| 申请号: | 202010826310.4 | 申请日: | 2020-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN111933671B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
| 发明(设计)人: | 宋尊庆;陈登云 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 面板 | ||
1.一种显示基板,包括绑定区,其特征在于,所述绑定区包括衬底和位于所述衬底之上的多个绑定单元,所述绑定单元包括:
绑定部,所述绑定部包括第一层间介质层和绑定端子,所述绑定端子覆盖所述第一层间介质层;
第一平坦部,所述第一平坦部至少包覆所述绑定端子的部分边缘;
凹槽,所述凹槽至少位于所述绑定部的一侧;所述凹槽的开口端沿垂直于所述衬底的方向到所述衬底的距离小于所述第一层间介质层沿垂直于所述衬底的方向到所述衬底的距离,所述绑定端子的至少部分边缘位于所述凹槽内;所述第一平坦部位于所述凹槽内;
所述绑定部还包括连接线,所述第一层间介质层覆盖所述连接线,所述绑定端子与所述连接线电连接;
所述绑定区还包括位于所述衬底和多个所述绑定单元之间的第一绝缘层,各所述绑定单元的所述连接线分别与所述第一绝缘层相接触;
所述绑定单元中,所述凹槽的底端位于所述第一绝缘层内。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述绑定单元还包括引线部;所述引线部包括引线和第二层间介质层,所述第二层间介质层覆盖所述引线,所述引线与所述连接线相连;
所述绑定单元中,所述绑定部的四周区域中除所述引线所在区域外均设置所述凹槽。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括与所述绑定区相连的显示区,所述显示区包括:多个阵列排布的子像素,所述子像素包括薄膜晶体管和覆盖所述薄膜晶体管的第二平坦部,所述第二平坦部包括平坦过孔,所述平坦过孔的孔深小于所述凹槽的槽深;
所述第一平坦部与所述第二平坦部同层设置。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述显示区还包括:多条栅线,相邻两排所述子像素之间设置有一条所述栅线,多条所述栅线分别与多条所述引线对应相连;
所述薄膜晶体管包括层叠设置的有源层、栅绝缘层、栅极和第二绝缘层,所述栅绝缘层覆盖所述有源层,所述第二绝缘层覆盖所述栅极;
所述栅极、所述栅线、所述引线和所述连接线同层设置;
所述第一绝缘层包括第一子层和第二子层,所述第一子层与所述栅绝缘层同层设置,所述第二子层和所述第二绝缘层同层设置。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括位于所述第二绝缘层之上的第三层间介质层、源漏极和源漏极过孔;所述源漏极过孔贯穿所述第三层间介质层、所述第二绝缘层和所述栅绝缘层,所述源漏极通过所述源漏极过孔与所述有源层电连接;
所述第一层间介质层、所述第二层间介质层和所述第三层间介质层同层设置;所述源漏极与所述绑定端子同层设置;所述凹槽与所述源漏极过孔同层设置。
6.根据权利要求1-5任一项所述的显示基板,其特征在于,相邻两个所述绑定单元中相邻的两个所述凹槽相连。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括与所述绑定区相连的显示区,所述显示区包括:多个阵列排布的子像素,所述子像素包括薄膜晶体管和覆盖所述薄膜晶体管的第二平坦部;
所述第一平坦部位于所述绑定端子远离所述衬底的一侧,且所述第一平坦部沿垂直于所述衬底方向的厚度小于所述第二平坦部沿垂直于所述衬底方向的厚度。
8.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的显示基板。
9.一种如权利要求1-7任一项所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
形成第一绝缘层;
形成绑定部,所述绑定部包括连接线、第一层间介质层和绑定端子,所述绑定端子覆盖所述第一层间介质层;所述第一层间介质层覆盖所述连接线,所述绑定端子与所述连接线电连接;所述第一绝缘层与所述连接线相接触;
形成凹槽,所述凹槽至少位于所述绑定部的一侧;所述凹槽的开口端沿垂直于所述衬底的方向到所述衬底的距离小于所述第一层间介质层沿垂直于所述衬底的方向到所述衬底的距离,所述绑定端子的部分边缘位于所述凹槽内;所述凹槽的底端位于所述第一绝缘层内;
形成第一平坦部,所述第一平坦部至少包覆所述绑定端子的部分边缘,所述第一平坦部位于所述凹槽内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





