[发明专利]双极化开口波导阵列天线及通信装置有效
| 申请号: | 202010822424.1 | 申请日: | 2020-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN111740233B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
| 发明(设计)人: | 李冰 | 申请(专利权)人: | 星展测控科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01Q21/06 | 分类号: | H01Q21/06;H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q13/06;H01Q21/00;H01Q23/00 |
| 代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 杨志强 |
| 地址: | 710000 陕西省西安市经济技术开发*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 极化 开口 波导 阵列 天线 通信 装置 | ||
1.一种双极化开口波导阵列天线,其特征在于,包括多个在第一平面上呈阵列排布的天线单元,所述天线单元包括4个波导辐射子单元和2个波导功分子单元;
所述4个波导辐射子单元在第一平面上呈2×2阵列排布,每个波导辐射子单元由沿第一方向排列的开口波导和波导正交模耦合器组成;所述波导正交模耦合器在所述第一平面上的投影位于所述开口波导在所述第一平面上的投影的范围内;所述第一方向垂直于所述第一平面;
所述波导正交模耦合器为2个耦合腔交叉组成的一体结构,且所述2个耦合腔在所述第一平面上的投影呈十字形;
所述2个耦合腔分别为第一耦合腔和第二耦合腔;所述第一耦合腔的第一侧壁在远离所述开口波导的一侧设置有切角,所述第一耦合腔的第二侧壁上设置有馈电传输端口;
其中,所述第一侧壁、所述第二侧壁、所述第一平面中的任意两者均相互垂直,所述第一耦合腔的所述第一侧壁、所述第二侧壁分别分布于所述第二耦合腔的两侧;
所述2个波导功分子单元沿所述第一方向排列,且每个波导功分子单元与4个所述波导正交模耦合器均相连。
2.根据权利要求1所述的双极化开口波导阵列天线,其特征在于,所述开口波导包括均与所述第一方向垂直且相对的上开口面和下开口面,以及设置于所述上开口面和所述下开口面之间的谐振腔;
所述下开口面的开口呈十字形。
3.根据权利要求1所述的双极化开口波导阵列天线,其特征在于,
所述波导正交模耦合器中的所述2个耦合腔在靠近所述开口波导一侧设置有公共端口,所述公共端口与所述开口波导下开口面的开口相连。
4.根据权利要求1所述的双极化开口波导阵列天线,其特征在于,每个波导功分子单元包括1个一级功分器和2个二级功分器;
其中,2个二级功分器相对设置,且通过一级功分器相连。
5.根据权利要求4所述的双极化开口波导阵列天线,其特征在于,所述一级功分器和所述二级功分器均为ET功分器,所述ET功分器包括1个输入端口和2个输出端口;
所述2个二级功分器的2个输入端口分别与所述一级功分器的2个输出端口相连。
6.根据权利要求1所述的双极化开口波导阵列天线,其特征在于,
一个波导功分子单元中的2个二级功分器的4个输出端口分别与每个波导辐射子单元中的所述第一耦合腔上的馈电传输端口相连;
另一个波导功分子单元中的2个二级功分器的4个输出端口分别与每个波导辐射子单元中的所述第二耦合腔上的馈电传输端口相连。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的双极化开口波导阵列天线,其特征在于,相邻两个所述波导辐射子单元之间的间距为0.7~0.9倍波长。
8.一种通信装置,其特征在于,包括如权利要求1-7中任一项所述的双极化开口波导阵列天线。
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