[发明专利]多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路

说明书

本申请涉及半导体存储器件技术领域，具体涉及一种多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路。该多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路包括：第一数据存储单元和第二数据存储单元；第一参考电流源和第二参考电流源；锁存比较器包括第一数据端和第二数据端，第一数据端的数据和第二数据端的数据互为反码；第一控制单元用于根据控制信号控制第一数据存储单元的数据节点或第一参考电流源的输入端，与第一数据端导通；第二控制单元用于根据控制信号控制第二数据存储单元的数据节点或第二参考电流源的输入端，与第二数据端导通。本申请可以解决相关技术中难以测量双单元结构的多次可编程EEPROM单元结构中存储位元的电压裕度问题。

技术领域

本申请涉及半导体存储器件技术领域，具体涉及一种多次可编程EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，带电可擦除可编程只读存储器)单元的裕度测量电路。

背景技术

半导体集成电路工业已经产生了多种器件以解决许多不同领域中的问题。这些器件中的一些，如半导体存储器，被配置用于存储运算所需的二进制数据。只读存储器(ROM)是半导体存储器中的一种，只读存储器包括MTP(Multiple Time Programmable，多次可编程)存储器和OTP(One Time programmable，一次可编程)存储器，对于MTP存储器，EEPROM是其中的一种，可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程，适于制作需要修改其中数据的只读存储器。

图1为相关技术中一种多次可编程EEPROM单元结构的原理图，参照图1，包括存储位元Cell，在进行读操作时，向存储位元Cell的字线WL施加裕度范围内的电压，使得在存储位元Cell中存储二进制数表征在存储位元Cell的位线BL上，并通过读出电路从输出端Dout输出。在进行存储位元Cell电压裕度测试时，通过调节施加在字线WL上的电压，使得读出数据处于正确读出和读错的边界时的字线WL上的电压，为存储位元Cell的裕度电压。

对于图2所示另一种多次可编程EEPROM单元结构，其存储位元Cell为双单元结构，即第一单元Cell_L和第二单元Cell_R组成一个用于存储一位二进制代码的存储位元。第一单元Cell_L的位线BL1和第二单元Cell_R的位线BL2分别连接在读出电路上，第一单元Cell_L和第二单元Cell_R共用字线WL。在工作时，一个存储位元的其中一个单元执行擦除操作，另一个单元执行编程操作，执行擦除操作的单元为擦除单元E_Cell，执行编程操作的单元为编程单元P_Cell。当第一单元Cell_L为擦除单元E_Cell，第二单元Cell_R为编程单元P_Cell，在共用字线WL上施加裕度范围内的电压，则第一单元Cell_L的存储节点处有电流，第二单元Cell_R的存储节点处无电流，经过读出电路，输出端Dout输出数据。当第一单元Cell_L为擦除单元P_Cell，第二单元Cell_R为编程单元E_Cell，在共用字线WL上施加裕度范围内的电压，则第一单元Cell_L的存储节点处无电流，第二单元Cell_R的存储节点处有电流，经过读出电路，输出端Dout输出数据。

然而，在对编程单元E_Cell和擦除单元P_Cell进行电压裕度测量时，由于第一单元Cell_L和第二单元Cell_R为共用字线，无法分别对第一单元Cell_L或第二单元Cell_R施加不同的调整电压，因此相关技术难以测量双单元结构的多次可编程EEPROM单元结构中存储位元的电压裕度。

发明内容

本申请提供了一种多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路，可以解决相关技术中难以测量双单元结构的多次可编程EEPROM单元结构中存储位元的电压裕度问题。

本申请提供了一种多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路，该多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路包括：

第一数据存储单元和第二数据存储单元；

第一参考电流源和第二参考电流源；