[发明专利]多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路有效

专利信息
申请号: 202010817034.5 申请日: 2020-08-14
公开(公告)号: CN112071356B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 王鑫 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C29/50 分类号: G11C29/50
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 多次 可编程 eeprom 单元 测量 电路
【权利要求书】:

1.一种多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路,其特征在于,所述多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路包括:

第一数据存储单元和第二数据存储单元;

第一参考电流源和第二参考电流源;

锁存比较器,所述锁存比较器包括第一数据端和第二数据端,所述第一数据端的数据和第二数据端的数据互为反码;

第一控制单元,所述第一控制单元将所述第一数据存储单元的数据节点,和所述第一参考电流源的输入端,连接在所述第一数据端上,用于根据控制信号控制所述第一数据存储单元的数据节点或第一参考电流源的输入端,与所述第一数据端导通;

第二控制单元,所述第二控制单元将所述第二数据存储单元的数据节点,和所述第二参考电流源的输入端,连接在所述第二数据端上,用于根据控制信号控制所述第二数据存储单元的数据节点或第二参考电流源的输入端,与所述第二数据端导通,

其中,所述控制信号包括第一控制信号和第二控制信号,所述第一控制信号与所述第二控制信号互为反相;

所述第一控制单元包括:第一晶体管和第二晶体管;所述第一晶体管的漏极连接所述第一数据端,源极连接所述第一数据存储单元的数据节点,栅极连接所述第一控制信号;所述第二晶体管的漏极连接所述第一数据端,源极连接所述第一参考电流源的输入端,栅极连接所述第二控制信号;

所述第二控制单元包括:第三晶体管和第四晶体管;所述第三晶体管的源极连接所述第二数据端,漏极连接所述第二数据存储单元的数据节点,栅极连接所述第二控制信号;所述第四晶体管的源极连接所述第二数据端,漏极连接所述第二参考电流源的输入端,栅极连接所述第一控制信号。

2.如权利要求1所述的多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路,其特征在于,所述锁存比较器包括:第一反相器和第二反相器;

所述第一反相器的输出端连接所述第二反相器的输入端,所述第二反相器的输出端连接所述第一反相器的输入端;

所述第一反相器的输出端为所述锁存比较器的第一数据端,所述第一反相器的输入端为所述锁存比较器的第二数据端。

3.如权利要求1所述的多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路,其特征在于,还包括第三反相器,所述第三反相器的输入端连接所述第一数据端,所述第三反相器的输出端为所述裕度测量电路的第一输出端。

4.如权利要求3所述的多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路,其特征在于,还包括第四反相器,所述第四反相器的输入端连接所述第二数据端,所述第四反相器的输出端为所述裕度测量电路的第二输出端。

5.如权利要求1所述的多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路,其特征在于,所述第一参考电流源和第二参考电流源相同。

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