[发明专利]掩膜板装置、显示器、曝光机有效
| 申请号: | 202010805000.4 | 申请日: | 2020-08-12 |
| 公开(公告)号: | CN111983889B | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
| 发明(设计)人: | 邓帆 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刘泳麟 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 掩膜板 装置 显示器 曝光 | ||
本申请公开了一种掩膜板装置、显示器、曝光机。掩膜板装置包括掩膜板、挡板、至少一刻度尺以及至少一遮光带;刻度尺设于相邻两个曝光区域之间,用于确认首次曝光时挡板遮挡掩膜板的位置;遮光带呈矩形长条,设于掩膜板上且位于刻度尺的一侧,用于机台自动识别第二次及第二次以后曝光时挡板遮挡掩膜板的位置。本申请通过在现有挡板位置监控标志旁增加一个矩形条状遮光带,其不必保留遮光带要保护的图形,即可实现机台自动识别第二次及第二次以后曝光时挡板遮挡掩膜板的位置,从而提高识别精度,减少识别误差,并能提高生产效率。
技术领域
本申请涉及显示面板制作技术领域,尤其涉及掩膜板装置、显示器、曝光机。
背景技术
使用掩膜板(mask)在玻璃基板上制作图形时,由于每一次曝光不需要用到掩膜板所有区域,因此要使用挡板对掩膜板上下左右的非曝光区域进行遮挡。在产线实际生产时,会在四方挡板设定位置分别摆放挡板位置监控标志(Mask blade accuracy verniermark,MB mark),来监控挡板位置精度。
图1为目前业内使用的挡板位置监控标志的平面结构示意图,如图1所示,挡板位置监控标志90为带有刻度条状的标识,包括间隔设置的第一金属层标识91、第二金属层标识92、过孔标识93、氧化铟锡层标识94,用于分别形成阵列基板上的栅极、源漏极、走线过孔、阳极等结构。其使用方式是通过拍照,人眼读取照片中挡板所在位置的刻度,但是人眼识别精度低,识别误差高。
发明内容
本申请实施例提供一种掩膜板装置、显示器、曝光机,可以解决现有挡板位置监控标志需要全程人眼读取曝光时挡板所在位置的刻度,而人眼识别精度低、识别误差高的技术问题。
本申请实施例提供一种掩膜板装置,包括掩膜板、挡板、至少一刻度尺以及至少一遮光带;所述掩膜板内设置有若干曝光区域;所述挡板环绕所述掩膜板设置,并用于遮挡所述掩膜板的非曝光区域;所述刻度尺设于相邻两个所述曝光区域之间,用于确认首次曝光时所述挡板遮挡所述掩膜板的位置;所述遮光带呈矩形长条,设于所述掩膜板上且位于所述刻度尺的一侧,用于机台自动识别第二次及第二次以后曝光时所述挡板遮挡所述掩膜板的位置。其中所述遮光带为在所述掩膜板上只保留矩形长条的遮光带,而不保留原有图形。
在使用时,机台用于根据所述遮光带端部与第一次曝光后曝光区的边缘位置识别非曝光区域内未被曝光的区域长度值,从而根据所述遮光带端部与该边缘位置距离自动识别第二次及第二次以后曝光时所述挡板遮挡所述掩膜板的位置。
进一步地,相邻两个所述曝光区域之间相互重叠形成一重叠曝光区,所述遮光带位于所述重叠曝光区内。在连续两次对所述重叠曝光区曝光过程中,遮光带保护一次光阻,挡板挡光部分保护一次光阻,则最终玻璃基板上挡板外图形在后续蚀刻时被洗掉,而挡板下方图形留存,然后机台自动读取留存的图形尺寸,即是挡板的位置精度。
进一步地,所述遮光带设置于所述曝光区域的四角位置。
进一步地,所述遮光带的材质包括不透光金属,所述不透光金属包括铬。
进一步地,所述遮光带包括间隔设置的第一金属层标识、第二金属层标识、过孔标识以及氧化铟锡层标识。
进一步地,所述第一金属层标识、所述第二金属层标识、所述过孔标识以及所述氧化铟锡层标识之间等距离间隔设置,间隔的距离为50um-100um。
进一步地,所述第一金属层标识、所述第二金属层标识、所述过孔标识以及所述氧化铟锡层标识的长度相同,其长度均为5000um-10000um;所述第一金属层标识的宽度范围为30um-60um;所述第二金属层标识的宽度范围为70um-90um;所述过孔标识的宽度范围为110um-130um;所述氧化铟锡层标识的宽度范围为140um-160um。
进一步地,所述刻度尺的中心设置为零点,向两端延伸均匀设置有相同的刻度值;所述刻度尺的刻度值为毫米级或微米级。所述刻度尺的长度大于所述曝光区域边长的长度。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





