[发明专利]ZnMgGaO紫外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种ZnMgGaO紫外探测器，其特征在于，包括从下至上依次叠加的衬底、ZnMgGaO薄膜和叉指电极。

2.如权利要求1所述的ZnMgGaO紫外探测器，其特征在于，所述ZnMgGaO薄膜为尖晶石结构。

3.如权利要求2所述的ZnMgGaO紫外探测器，其特征在于，所述ZnMgGaO薄膜的吸收截止边为220～280nm，所述ZnMgGaO紫外探测器的光响应截止边为220～270nm。

4.一种如权利要求1～3中任一项所述的ZnMgGaO紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、以有机锌化合物作为锌源，以有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底的表面生长ZnMgGaO薄膜；

S2、在所述ZnMgGaO薄膜上使用负胶光刻形成叉指电极掩膜，在所述叉指电极掩膜溅射金属后将所述叉指电极掩膜去除，形成叉指电极；

S3、在所述叉指电极上按压In粒，得到MSM结构的ZnMgGaO紫外探测器。

5.如权利要求4所述的ZnMgGaO紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述高纯氧气的流速为500～800sccm。

6.如权利要求4所述的ZnMgGaO紫外探测器的制备方法，所述有机锌化合物为二甲基锌或二乙基锌；有机镁化合物为二甲基二茂镁和/或二乙基二茂镁；所述有机镓化合物为三甲基镓和/或三乙基镓。

7.如权利要求4所述的ZnMgGaO紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述有机锌化合物以高纯氮气为载气，所述载气流速为5～20sccm；所述有机镁化合物以高纯氮气为载气，其载气流速为5～20sccm；所述有机镓化合物以高纯氮气为载气，其载气流速为10～40sccm。

8.如权利要求4所述的ZnMgGaO紫外探测器的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，溅射电流为5～8mA。

9.如权利要求4所述的ZnMgGaO紫外探测器的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，采用超声波去除所述叉指电极掩膜，超声时间为3～5min。

10.如权利要求4所述的ZnMgGaO紫外探测器的制备方法，其特征在于，在步骤S1之后还包括二次退火步骤，具体如下：

A、第一次退火：将所述ZnMgGaO薄膜移入退火炉，使用氮气气氛，氮气流量为0.6～1.0sccm，以0.2～0.4℃/s的升温速率将所述退火炉的炉温升至700～800℃，经3～5min后，将所述ZnMgGaO薄膜移出所述退火炉；

B、第二次退火：将所述退火炉的炉温降至500～600℃，再将所述ZnMgGaO薄膜移入所述退火炉，经15～20min后，将所述ZnMgGaO薄膜移出所述退火炉。