[发明专利]一种相变存储器件及其制造方法、操作方法

权利要求书

1.一种相变存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的第一电极；

位于所述衬底上且围绕所述第一电极的加热电极；

位于所述衬底上且围绕所述加热电极的相变层；

位于所述衬底上且围绕所述相变层的第二电极。

2.根据权利要求1所述的相变存储器件，其特征在于，所述第一电极包括圆柱形。

3.根据权利要求2所述的相变存储器件，其特征在于，所述加热电极包括围绕所述第一电极侧壁的环形结构，所述相变层包括围绕所述加热电极侧壁的环形结构，所述第二电极围绕所述相变层的侧壁。

4.根据权利要求1所述的相变存储器件，其特征在于，所述第一电极为垂直于所述衬底的圆柱形，并具有与存储芯片的位线电连接的顶部。

5.根据权利要求1所述的相变存储器件，其特征在于，所述第一电极为垂直于所述衬底的圆柱形，所述加热电极具有与地线电连接的底部。

6.根据权利要求5所述的相变存储器件，其特征在于，还包括位于所述衬底上的开关组件，所述开关组件控制所述加热电极与所述地线导通或断开。

7.根据权利要求1所述的相变存储器件，其特征在于，所述第二电极被配置成字线。

8.根据权利要求1所述的相变存储器件，其特征在于，还包括位于所述衬底上且围绕所述第二电极，并具有长方形横截面的字线。

9.一种相变存储器件的操作方法，其特征在于，所述相变存储器件包括：衬底，位于所述衬底上的第一电极，位于所述衬底上且围绕所述第一电极的加热电极，位于所述衬底上且围绕所述加热电极的相变层，位于所述衬底上且围绕所述相变层的第二电极，位于所述衬底上的开关组件，所述加热电极具有与地线电连接的底部，所述开关组件控制所述加热电极与所述地线导通或断开；所述操作方法包括：

向所述第一电极输入操作电流，以形成从所述第一电极、经由所述加热电极、所述相变层、至所述第二电极的主加热路线；

当所述主加热路线断开时，通过所述开关组件控制所述加热电极与所述地线导通，以形成从所述第一电极、经由所述加热电极、至所述地线的辅加热路线。

10.一种相变存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成第二电极；

在所述衬底上形成被所述第二电极围绕的相变层；

在所述衬底上形成被所述相变层围绕的加热电极；

在所述衬底上形成被加热电极围绕的第一电极。

11.根据权利要求10所述的相变存储器件的制造方法，其特征在于，所述第一电极包括圆柱形。

12.根据权利要求11所述的相变存储器件的制造方法，其特征在于，所述加热电极包括围绕所述第一电极侧壁的环形结构，所述相变层包括围绕所述加热电极侧壁的环形结构，所述第二电极围绕所述相变层的侧壁。

13.根据权利要求10所述的相变存储器件的制造方法，其特征在于，所述第一电极为垂直于所述衬底的圆柱形，并具有与存储芯片的位线电连接的顶部。

14.根据权利要求10所述的相变存储器件的制造方法，其特征在于，所述第一电极为垂直于所述衬底的圆柱形，所述加热电极具有与地线电连接的底部。

15.根据权利要求14所述的相变存储器件的制造方法，其特征在于，还包括形成位于所述衬底上的开关组件，所述开关组件控制所述加热电极与所述地线导通或断开。

16.根据权利要求10所述的相变存储器件的制造方法，其特征在于，所述第二电极被配置成字线。

17.根据权利要求10所述的相变存储器件的制造方法，其特征在于，还包括形成位于所述衬底上且围绕所述第二电极，并具有长方形横截面的字线。