[发明专利]一种轴向封装的恒流二极管

权利要求书

1.一种轴向封装的恒流二极管，包括衬底（1），其特征在于：所述衬底（1）的顶部设置有基底（2），所述基底（2）的内部开设有安装槽（3），所述安装槽（3）的内部设置有安装块（4），所述基底（2）的内部嵌设有量子阱（5），所述量子阱（5）位于安装块（4）的下方，所述量子阱（5）的内部设置有半导体层（6），所述安装块（4）顶部的左侧固定安装有第一金属电极（7），所述安装块（4）顶部的右侧设置有第二金属电极（8），所述基底（2）的顶部覆盖有第一掩膜层（9），所述第一掩膜层（9）的表面嵌设有第二掩膜层（10），且第二掩膜层（10）呈对称分布，所述第一金属电极（7）和第二金属电极（8）延伸至第二掩膜层（10）的顶部，所述基底（2）的背面设置有第一保护罩（11），所述基底（2）的正面设置有第二保护罩（12），所述第一保护罩（11）和第二保护罩（12）的连接处设置有固定机构（13），所述固定机构（13）分别位于第一保护罩（11）的左右两侧，且固定机构（13）呈对称分布；

所述第一保护罩（11）和第二保护罩（12）的内壁均设置有导热硅脂，且第一保护罩（11）和第二保护罩（12）与基底（2）之间紧密贴合，所述第二保护罩（12）的正面开设有标识槽（15）。

2.根据权利要求1所述的一种轴向封装的恒流二极管，其特征在于：所述固定机构（13）包括固定板（131）、连接柱（132）、连接板（133）和通孔（134），所述固定板（131）焊接于第一保护罩（11）的中间位置，且固定板（131）呈对称分布，所述连接柱（132）焊接于固定板（131）的正面，所述连接板（133）栓接于第二保护罩（12）的左右两侧，所述通孔（134）开设于连接板（133）的表面，所述连接柱（132）位于通孔（134）的内部并与通孔（134）的内壁滑动连接。

3.根据权利要求1所述的一种轴向封装的恒流二极管，其特征在于：所述第一金属电极（7）为正电极，所述第二金属电极（8）为负电极，且第一金属电极（7）和第二金属电极（8）的表面做镀铜处理，所述第一金属电极（7）和第二金属电极（8）的表面均设置有限位块（14），且限位块（14）呈对称分布。

4.根据权利要求1所述的一种轴向封装的恒流二极管，其特征在于：所述衬底（1）由半导体材料制得，所述基底（2）采用硅晶体材料制成，所述基底（2）的表层设置有硅外延层，且硅外延层做氧化处理，所述基底（2）和衬底（1）的外侧设置有绝缘膜。

5.根据权利要求1所述的一种轴向封装的恒流二极管，其特征在于：所述量子阱（5）由离子注入安装槽（3）并经过加热形成，所述量子阱（5）的中间设置有半导体膜，且量子阱（5）的外侧设置有隔离层。

6.根据权利要求1所述的一种轴向封装的恒流二极管，其特征在于：所述半导体层（6）为P型半导体和N型半导体烧结形成的PN结，且半导体层（6）与安装块（4）之间设置有经过硅化处理的金属层。

7.根据权利要求1所述的一种轴向封装的恒流二极管，其特征在于：所述第一掩膜层（9）为三氧化二铝层，所述第二掩膜层（10）为二氧化硅层，且第二掩膜层（10）与第一金属电极（7）和第二金属电极（8）的表面贴合，所述第一掩膜层（9）和第二掩膜层（10）的接合处采用环氧树脂做密封处理。