[发明专利]一种磁场偏置的手性分子传感器件

权利要求书

1.一种磁场偏置的手性分子传感器件，其特征在于：

由依次堆叠的顶层贵金属等离子共振结构层、中间磁性氧化物层、底层耐高温导电金属层和基底构成；

所述顶层贵金属等离子共振结构层和中间磁性氧化物层实现等离子共振或腔体谐振，中间磁性氧化物层的磁圆二色性大于等于顶层贵金属等离子共振结构层的结构手性，并通过外加磁场和中间磁性氧化物层的磁圆二色性实现磁场偏置；

顶层贵金属等离子共振结构层经消旋态的手性分子旋涂到其结构表面，通过磁场偏置，将谐振处的结构手性消除。

2.如权利要求1所述磁场偏置的手性分子传感器件，其特征在于：所述外加磁场垂直于器件面内。

3.如权利要求1所述磁场偏置的手性分子传感器件，其特征在于：所述顶层贵金属等离子共振结构层为金、银、铂或铝的周期孔洞结构。

4.如权利要求1所述磁场偏置的手性分子传感器件，其特征在于：所述中间磁性氧化物层为CeYIG/YIG薄膜、稀土掺杂钇铁石榴石薄膜或氧化铁薄膜Fe₃O₄,γ-Fe₂O₃。

5.如权利要求1所述磁场偏置的手性分子传感器件，其特征在于：所述底层耐高温导电金属层为氮化钛、氮铝化钛或氮化钽。

6.如权利要求2所述磁场偏置的手性分子传感器件，其特征在于：所述顶层贵金属等离子共振结构层的厚度为50nm～100nm，孔洞半径为50nm～300nm，孔洞周期为500nm～1μm，磁性氧化物层厚度为30nm～150nm，耐高温金属层厚度为100nm～200nm。

7.如权利要求1所述磁场偏置的手性分子传感器件，其特征在于：使用时，在外加磁场大小下，旋涂左旋态和右旋态手性分子于顶层贵金属等离子共振结构层，在谐振波长处检测手性分子的信号，通过圆二色性CD的符号来辨别手性分子的旋转态。