[发明专利]镀膜方法、光伏电池以及镀膜设备

权利要求书

1.镀膜方法，用于光伏电池的基底的镀膜，其特征在于，包括：

第一工序，在管式LPCVD装置的反应室内，至少通入锌源以及第一氧源，并使其发生反应，在所述基底的表面的至少一面，沉积并生成氧化锌膜。

2.根据权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于，在所述第一工序中，所述反应室内的温度为110℃～250℃，压力为50Pa～500Pa。

3.根据权利要求1或2所述的镀膜方法，其特征在于，

所述锌源选自有机锌化合物的一种或者多种；

所述第一氧源选自氧化性气体以及水蒸气中的一种或者多种；

所述锌源的载气和稀释所述第一氧源的载气，分别选自氮气以及氩气中的一种或者多种。

4.根据权利要求3所述的镀膜方法，其特征在于，所述有机锌化合物包括：二乙基锌。

5.根据权利要求4所述的镀膜方法，其特征在于，在选择二乙基锌作为所述锌源、选择氧气作为所述第一氧源的情况下，二乙基锌的流量为0.2g～1.8g/min，二乙基锌的载气的流量为500sccm～5000sccm，氧气的流量为200sccm～1000sccm，稀释氧气的载气的流量为10000sccm～40000sccm。

6.根据权利要求4所述的镀膜方法，其特征在于，在选择二乙基锌作为所述锌源、选择水蒸气作为所述第一氧源的情况下，二乙基锌的流量为0.2g～1.8g/min，二乙基锌的载气的流量为500sccm～5000sccm，水蒸气的流量为300sccm～3000sccm，稀释水蒸气的载气的流量为10000sccm～40000sccm。

7.根据权利要求5或6所述的镀膜方法，其特征在于，所述氧化锌膜的膜厚沉积速度为0.5nm～4nm/min。

8.根据权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于，还包括：

第二工序，在所述管式LPCVD装置的反应室内，通入铝源以及第二氧源，并使所述铝源和所述第二氧源发生反应，以在所述基底的表面的至少一面，沉积并生成氧化铝膜。

9.根据权利要求8所述的镀膜方法，其特征在于，在所述第二工序中，所述反应室内的温度为170℃～250℃，压力为50Pa～500Pa。

10.根据权利要求8所述的镀膜方法，其特征在于，

所述铝源选自有机铝化合物的一种或者多种；

所述第二氧源选自氧化性气体以及水蒸气中的一种或者多种；

所述铝源的载气和稀释所述第二氧源的载气，分别选自氮气以及氩气中的一种或者多种。

11.根据权利要求10所述的镀膜方法，其特征在于，所述有机铝化合物包括：三甲基铝。

12.根据权利要求11所述的镀膜方法，其特征在于，在选择三甲基铝作为所述铝源、选择氧气作为所述第二氧源的情况下，三甲基铝的流量为0.2g～1.8g/min，三甲基铝的载气的流量为200sccm～1000sccm，氧气的流量为1000sccm～5000sccm，稀释氧气的载气的流量为0sccm～5000sccm。

13.根据权利要求12所述的镀膜方法，其特征在于，所述氧化铝膜的膜厚沉积速度为0.1nm～0.4nm/min。

14.根据权利要求8所述的镀膜方法，其特征在于，交替进行所述第一工序和所述第二工序，以在所述基底的表面的至少一面形成交替层叠的多层所述氧化锌膜和多层所述氧化铝膜。

15.根据权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于，在所述第一工序中，还通入硼源，并使所述锌源、所述第一氧源以及所述硼源发生反应，以在所述基底的表面的至少一面，沉积并生成掺杂硼的氧化锌膜。