[发明专利]半导体结构、形成方法以及掩膜版

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底、分立于所述衬底上的沟道结构、横跨所述沟道结构的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述沟道结构的部分顶壁和部分侧壁，所述基底包括沿第一行依次排布的第一器件区、伪器件区、第二器件区以及第三器件区，沿第二行依次排布的第三器件区、第二器件区、伪器件区以及第一器件区，且第一行中的第一器件区、伪器件区、第二器件区以及第三器件区分别与第二行中的第一器件区、伪器件区、第二器件区以及第三器件区互为中心对称排布；

去除所述伪栅结构，形成栅极开口；

形成栅极开口后，形成第一遮挡层，所述第一遮挡层露出所述第一器件区和伪器件区，或者所述第一遮挡层露出所述第三器件区和第二器件区。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述第一遮挡层前，在所述栅极开口中形成第一功函数层；

形成所述第一功函数层后，形成所述第一遮挡层，且形成所述第一遮挡层的步骤中，所述第一遮挡层露出所述第三器件区和第二器件区；

所述半导体结构的形成方法还包括：以所述第一遮挡层为掩膜，去除所述第二器件区和第三器件区的栅极开口中的所述第一功函数层；

去除所述第二器件区和第三器件区的栅极开口中的所述第一功函数层后，去除所述第一遮挡层；

去除所述第一遮挡层后，在所述第一器件区、第二器件区和第三器件区的所述栅极开口中形成第二功函数层；

所述半导体结构的形成方法还包括：形成覆盖所述第一器件区以及第三器件区，且露出所述第二器件区和伪器件区的第二遮挡层；

以所述第二遮挡层为掩膜去除所述第二器件区的栅极开口中的所述第二功函数层；

去除所述第二器件区的栅极开口中的所述第二功函数层后，去除所述第二遮挡层；

去除所述第二遮挡层后，在所述第二器件区的栅极开口中形成第三功函数层。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述第一遮挡层前，在所述栅极开口中形成第一功函数层；

形成所述第一功函数层后，形成覆盖所述伪器件区和第二器件区，且露出所述第一器件区和第三器件区的第二遮挡层；

以所述第二遮挡层为掩膜，去除所述第一器件区和第三器件区的栅极开口中的第一功函数层；

去除所述第一器件区和第三器件区的栅极开口中的第一功函数层后，去除所述第二遮挡层；

去除所述第二遮挡层后，在所述第一器件区、第二器件区和第三器件区的栅极开口中形成第二功函数层；

形成所述第二功函数层后，形成所述第一遮挡层，且所述第一遮挡层露出所述第三器件区和第二器件区；

所述半导体结构的形成方法还包括：以所述第一遮挡层为掩膜去除所述第三器件区和第二器件区的栅极开口中的第二功函数层；

去除所述第三器件区和第二器件区的栅极开口中的第二功函数层后，去除所述第一遮挡层；去除所述第一遮挡层后，在所述第三器件区的栅极开口中形成第三功函数层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述第一遮挡层前，在所述栅极开口中形成第一功函数层；

形成所述第一功函数层后，形成覆盖所述伪器件区和第二器件区，且露出所述第一器件区和第三器件区的第二遮挡层；

以所述第二遮挡层为掩膜，去除所述第一器件区和第三器件区的栅极开口中的第一功函数层；

去除所述第一器件区和第三器件区的栅极开口中的第一功函数层后，去除所述第二遮挡层；

去除所述第二遮挡层后，在所述第一器件区、第二器件区和第三器件区的栅极开口中形成第二功函数层；

形成所述第二功函数层后，形成所述第一遮挡层，所述第一遮挡层露出所述第一器件区和伪器件区；

所述半导体结构的形成方法还包括：以所述第一遮挡层为掩膜去除所述第一器件区和伪器件区的栅极开口中的第二功函数层；

去除所述第一器件区和伪器件区的栅极开口中的第二功函数层后，去除所述第一遮挡层；

去除所述第一遮挡层后，在所述第一器件区的栅极开口中形成第三功函数层。