[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构的顶部形成有栅极盖帽层，所述栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂区，所述栅极结构侧部的基底上形成有底部介质层，所述底部介质层覆盖所述栅极结构和栅极盖帽层的侧壁，其中，所述基底上用于形成电连接所述栅极结构和源漏掺杂区的共享接触插塞的区域作为共享接触区，位于所述共享接触区的所述源漏掺杂区作为第一源漏掺杂区，剩余的所述源漏掺杂区作为第二源漏掺杂区；

在所述第二源漏掺杂区顶部的底部介质层中形成与所述第二源漏掺杂区相连的第一源漏互连层、以及位于所述第一源漏互连层顶部的源漏盖帽层；

在所述第一源漏掺杂区顶部的底部介质层中形成与所述第一源漏掺杂区相连的第二源漏互连层；

形成覆盖所述栅极盖帽层、源漏盖帽层、第二源漏互连层和底部介质层的顶部介质层；

在所述共享接触区中，形成贯穿所述顶部介质层和栅极盖帽层的共享接触插塞，所述共享接触插塞电连接所述栅极结构和第二源漏互连层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述源漏盖帽层之后，形成所述第二源漏互连层。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一源漏互连层和源漏盖帽层的步骤包括：去除所述第二源漏掺杂区顶部的底部介质层，形成露出所述第二源漏掺杂区的第一沟槽；

在所述第一沟槽中形成第一源漏互连层，所述第一源漏互连层的顶部低于所述底部介质层的顶部；

在所述底部介质层和第一源漏互连层围成的区域中形成源漏盖帽层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一沟槽中形成第一源漏互连层的步骤包括：向所述第一沟槽中填充导电材料；

以所述栅极盖帽层的顶面作为停止位置，对所述导电材料进行平坦化处理；

在所述平坦化处理后，对所述第一沟槽中的剩余导电材料进行回刻蚀处理，回刻蚀处理后的剩余导电材料作为第一源漏互连层。

5.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二源漏互连层的步骤包括：去除所述第一源漏掺杂区顶部的底部介质层，形成露出所述第一源漏掺杂区的第二沟槽；

在所述第二沟槽中形成第二源漏互连层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二沟槽中形成第二源漏互连层的步骤包括：向所述第二沟槽中填充导电材料；

以所述栅极盖帽层的顶面作为停止位置，对所述导电材料进行平坦化处理，所述第二沟槽中的剩余导电材料作为第二源漏互连层。

7.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一沟槽的步骤包括：在所述底部介质层上形成具有第一掩膜开口的第一掩膜层，所述第一掩膜开口露出所述第二源漏掺杂区顶部的底部介质层；

以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一掩膜开口露出的底部介质层，形成第一沟槽；

形成所述第一沟槽后，去除所述第一掩膜层。

8.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二沟槽的步骤包括：在所述底部介质层上形成具有第二掩膜开口的第二掩膜层，所述第二掩膜开口露出所述第一源漏掺杂区顶部的底部介质层；

以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二掩膜开口露出的底部介质层，形成第二沟槽；

形成所述第二沟槽后，去除所述第二掩膜层。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极盖帽层和源漏盖帽层的材料不同。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极盖帽层的材料包括氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼和碳氮化硼中的一种或多种；

所述源漏盖帽层的材料包括氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼和碳氮化硼中的一种或多种。