[发明专利]半导体结构的形成方法

说明书

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括共享接触区，基底上有栅极结构，栅极结构顶部有栅极盖帽层，栅极结构两侧有源漏掺杂区，源漏掺杂区顶部有堆叠的源漏互连层和源漏盖帽层；刻蚀共享接触区的源漏盖帽层或栅极盖帽层，形成贯穿源漏盖帽层或栅极盖帽层的第一沟槽；在第一沟槽中形成牺牲层，牺牲层的耐刻蚀度小于源漏盖帽层的耐刻蚀度；形成覆盖牺牲层、栅极盖帽层和源漏盖帽层的顶部介质层；在共享接触区中，刻蚀栅极结构顶部的顶部介质层、栅极盖帽层和牺牲层，或者，顶部介质层、牺牲层和源漏盖帽层，形成与第一沟槽相连通的第二沟槽；在第一沟槽和第二沟槽中形成共享接触插塞。本发明提高半导体结构的性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

背景技术

随着集成电路制造技术的不断发展，人们对集成电路的集成度和性能的要求变得越来越高。为了提高集成度，降低成本，元器件的关键尺寸不断变小，集成电路内部的电路密度越来越大，这种发展使得晶圆表面无法提供足够的面积来制作所需要的互连线。

为了满足关键尺寸缩小过后的互连线所需，目前不同金属层或者金属层与基底的导通是通过互连结构实现的。互连结构包括互连线和形成于接触开口内的接触孔插塞。接触孔插塞与半导体器件相连接，互连线实现接触孔插塞之间的连接，从而构成电路。

晶体管结构内的接触孔插塞包括位于栅极结构表面的栅极接触孔插塞，用于实现栅极结构与外部电路的连接，还包括位于源漏掺杂区表面的源漏接触孔插塞，用于实现源漏掺杂区与外部电路的连接，还包括用于电连接栅极和源漏掺杂区的共享接触插塞(sharecontact)。

目前，为实现晶体管面积的进一步缩小，引入了有源栅极接触孔插塞(ContactOver Active Gate，COAG)工艺。与传统的栅极接触孔插塞位于隔离区域的栅极结构上方相比，COAG工艺能够把栅极接触孔插塞做到有源区(Active Area，AA)的栅极结构上方，从而进一步节省芯片的面积。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，提高半导体结构的性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有沿第一方向延伸的栅极结构，所述栅极结构顶部形成有栅极盖帽层，所述栅极结构两侧形成有位于所述基底内的源漏掺杂区，所述源漏掺杂区的顶部形成有源漏互连层，所述源漏互连层的顶部形成有源漏盖帽层，其中，所述基底上用于形成电连接所述栅极结构和源漏掺杂区的共享接触插塞的区域作为共享接触区；在所述共享接触区中，刻蚀所述源漏盖帽层或者所述栅极盖帽层，形成贯穿所述源漏盖帽层或所述栅极盖帽层的第一沟槽；在所述第一沟槽中形成牺牲层，所述牺牲层的耐刻蚀度小于所述源漏盖帽层的耐刻蚀度；形成覆盖所述牺牲层、栅极盖帽层和源漏盖帽层的顶部介质层；在所述共享接触区中，刻蚀所述栅极结构顶部的顶部介质层、栅极盖帽层以及牺牲层，或者，刻蚀所述栅极结构顶部的顶部介质层、牺牲层以及源漏盖帽层，在所述顶部介质层和栅极盖帽层中形成与所述第一沟槽相连通的第二沟槽；在所述第一沟槽和第二沟槽中形成共享接触插塞，所述共享接触插塞电连接所述栅极结构和源漏掺杂区。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：