[发明专利]一种激光器及其制造方法与应用有效
| 申请号: | 202010759006.2 | 申请日: | 2020-07-31 |
| 公开(公告)号: | CN111884048B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
| 发明(设计)人: | 梁栋;张成;刘嵩 | 申请(专利权)人: | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/028;H01S5/02;H01S5/40 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 林凡燕 |
| 地址: | 213000 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 激光器 及其 制造 方法 应用 | ||
本发明提出提出一种激光器及其制造方法与应用,包括:提供一衬底,所述衬底包括第一表面和第二表面,所述第一表面上设置有多条切割道;形成多个台型结构于所述第一表面上;其中,每一所述台型结构内设置有发光孔;所述台型结构位于所述切割道之间;形成间隔层于所述台型结构或所述第二表面上,所述发光孔发射的激光束从所述间隔层出射;对所述间隔层的顶部进行处理,以形成光学图案,所述光学图案为非规则的起伏状;形成光学元件设置在所述间隔层上,所述光学元件的下表面与所述光学图案契合;通过所述切割道进行切割,以形成多个所述激光器。本发明提出的激光器的制造方法可以减少激光器的厚度。
技术领域
本发明涉及激光器领域,特别涉及一种激光器及其制造方法与应用。
背景技术
垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL)是以砷化镓半导体材料为基础研制,有别于LED(发光二极管)和LD(Laser Diode,激光二极管)等其他光源,具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点,广泛应用于光通信、光互连、光存储等领域。
在三维感知(3D Sensing)应用中,垂直腔面发射激光器通常还需要结合其他的光学元件进行工作,光学元件通常通过支架固定在光学元件上,因此光学模组的较厚,无法适用于小型化,超薄的电子设备中。
发明内容
鉴于上述现有技术的缺陷,本发明提出一种激光器及其制造方法应用,通过将光学元件集成在激光器上,改善激光器的制造方法,减小激光器的厚度。
为实现上述目的及其他目的,本发明提出一种激光器的制造方法,包括:
提供一衬底,所述衬底包括第一表面和第二表面,所述第一表面上设置有多条切割道;
形成多个台型结构于所述第一表面上;其中,每一所述台型结构内设置有发光孔;所述台型结构位于所述切割道之间;
形成间隔层于所述台型结构或所述第二表面上,所述发光孔发射的激光束从所述间隔层出射;
对所述间隔层的顶部进行处理,以形成光学图案,所述光学图案为非规则的起伏状;
形成光学元件设置在所述间隔层上,所述光学元件的下表面与所述光学图案契合;
通过所述切割道进行切割,以形成多个所述激光器;
其中,所述间隔层的折射率小于所述光学元件的折射率,且所述间隔层的厚度大于所述光学元件的厚度。
其中,当所述间隔层位于所述台型结构上时,所述激光器为正面结构;当所述间隔层位于所述第二表面上时,所述激光器为背面结构;
其中,所述台型结构包括:
第一反射层,位于所述衬底上;
有源层,位于所述第一反射层上;
第二反射层,位于所述有源层上。
进一步地,当所述激光器为正面结构时,所述台型结构上设置有导电接触层,所述导电接触层位于第二反射层上。
进一步地,当所述激光器为正面结构时,所述台型结构上设置有接触所述导电接触层的第一电极,第二电极位于所述第一反射层上或者位于所述第二表面上。
进一步地,所述第一电极从所述台型结构延伸至所述衬底上,所述间隔层覆盖所述台型结构,且与位于所述衬底上的所述第一电极接触。
进一步地,当所述激光器为背面结构时,所述台型结构上设置有第一电极,所述第一反射层上设置有第二电极,所述第二电极和所述第一电极位于所述衬底的同侧。
进一步地,当所述激光器为背面结构时,所述间隔层覆盖所述衬底的所述第二表面。
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