[发明专利]非易失性存储器设备和存储系统

权利要求书

1.一种非易失性存储器设备，包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个单元串，所述单元串中的至少一个包括在与基板的表面垂直的方向上堆叠的多个存储器单元，所述存储器单元中的至少一个是存储至少三个比特的多层级单元；以及

控制逻辑电路，被配置为控制页缓冲器以利用一个读取电压来读取所述存储器单元的快速读取页以及所述存储器单元的至少两个正常读取页利用相同数量的读取电压来读取。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备，其中，仅所述一个读取电压用于读取所述快速读取页的数据。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器设备，其中，所述快速读取页的数据被频繁地存取。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器设备，其中，当所述快速读取页的数据被存取时，执行读取或编程操作。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备，其中，至少三个读取电压用于读取所述至少两个正常读取页中的每一页的数据。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备，其中，所述快速读取页的比特排序仅具有一个比特转变。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备，其中，所述至少两个正常读取页中的每一页的比特排序具有多于一个比特转变。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备，其中，所述至少一个单元串的多个存储器单元被安置在串选择线和地选择线之间。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器设备，其中，所述至少一个单元串包括安置在所述存储器单元之一和串选择晶体管之间、或所述存储器单元之一和地选择晶体管之间的伪存储器单元。

10.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备，其中，所述存储器单元中的每一个是电荷俘获型闪存晶体管。

11.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备，其中，所述多层级单元是四层级单元、五层级单元或六层级单元。

12.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备，其中，所述快速读取页是最低有效比特页、中心有效比特页和最高有效比特页之一。

13.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备，其中，所述快速读取页是最低有效比特页、最高有效比特页、或多个中心有效比特页之一。

14.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备，其中，利用单层级单元(SLC)数据对第一存储器单元进行编程，并且利用三层级单元(TLC)、四层级单元(QLC)或五层级单元(PLC)数据对第二存储器单元进行编程。

15.根据权利要求14所述的非易失性存储器设备，其中，所述TLC、QLC或PLC之一包括所述快速读取页和所述正常读取页。

16.一种存储系统，包括：

存储设备，所述存储设备与外部设备交换信号，其中，所述存储设备包括存储器控制器和多个非易失性存储器，其中，所述存储器中的至少一个包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括在与基板的表面垂直的方向上堆叠的多个存储器单元；以及

控制逻辑电路，被配置为控制页缓冲器以利用一个读取电压来读取所述存储器单元的快速读取页以及所述存储器单元的至少两个正常读取页利用相同数量的读取电压来读取。

17.根据权利要求16所述的存储系统，其中，所述快速读取页存储作为频繁读取的目标的数据。