[发明专利]易烧结高Q值Li3

权利要求书

1.一种易烧结高Q值Li₃Mg₂SbO₆基微波介质陶瓷材料，其特征在于该陶瓷材料的化学式为Li₃(Mg_1-xZn_x)₂SbO₆，其中0.02≤x≤0.08，制备方法采用固相反应法进行两步烧结：

(1)将Sb₂O₃、Li₂CO₃按照Li₃SbO₄化学配比混合球磨后烘干，预烧后获得Li₃SbO₄微波介质相；

(2)以MgO、ZnO和上述制备的Li₃SbO₄微波介质相，按照分子式Li₃(Mg_1-xZn_x)₂SbO₆配制，其中0.02≤x≤0.08，进行混合球磨后烘干，然后加入粘合剂后造粒过筛并压制成圆柱状坯体，于空气中常压下烧结成瓷。

2.根据权利要求1所述的易烧结高Q值Li₃Mg₂SbO₆基微波介质陶瓷材料，其特征在于：该微波介质陶瓷介电常数为7.2～8.5，品质因数为51844～97719GHz，谐振频率温度系数为-14～-1ppm/℃。

3.根据权利要求1所述的易烧结高Q值Li₃Mg₂SbO₆基微波介质陶瓷材料，其特征在于步骤(1)进一步为：

(1.1)以纯度为99％的Li₂CO₃、Sb₂O₃为原料，按照Li₃SbO₄化学配比得到Li₃SbO₄粉体；

(1.2)将上述粉体混合均匀，以纯水为分散剂、氧化锆球为球磨介质，其中氧化锆球的直径为3～15mm，按照原料：纯水：氧化锆球的重量比为1:2:1.5，采用湿磨法混合8小时，出料后在120℃下烘干，过80目筛后以2℃/min的升温速率由室温升温至900℃保温4小时制得Li₃SbO₄微波介质相。

4.根据权利要求1所述的易烧结高Q值Li₃Mg₂SbO₆基微波介质陶瓷材料，其特征在于步骤(2)进一步为：

(2.1)以纯度为99％的MgO、ZnO与上述步骤制备得到Li₃SbO₄微波介质相为原料，按照分子式Li₃(Mg_1-xZn_x)₂SbO₆配制得到粉体，0.02≤x≤0.08；

(2.2)将上述步骤配制得到的粉体混合均匀，以纯水为分散剂、氧化锆球为球磨介质，其中氧化锆球的直径为3～15mm，按照原料：纯水：氧化锆球的重量比为1:2:1.5，采用湿磨法混合8小时，出料后在120℃下烘干，出料后烘干过80目筛，然后按照重量比加入6～10wt％的有机粘合剂进行造粒，过120目筛后压制成直径10～12mm、高5～6mm的圆柱状素坯，之后将素坯放入马弗炉内，在空气中于1325℃下烧结5小时即制得烧结微波介质陶瓷；

(2.3)将烧结好的Li₃(Mg_1-xZn_x)₂SbO₆陶瓷两表面抛光制成成品待测。

5.一种易烧结高Q值Li₃Mg₂SbO₆基微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

(1.1)以纯度为99％的Li₂CO₃、Sb₂O₃为原料，按照Li₃SbO₄化学配比得到Li₃SbO₄粉体；

(1.2)将上述粉体混合均匀，以纯水为分散剂、氧化锆球为球磨介质，其中氧化锆球的直径为3～15mm，按照原料：纯水：氧化锆球的重量比为1:2:1.5，采用湿磨法混合8小时，出料后在120℃下烘干，过80目筛后以2℃/min的升温速率由室温升温至900℃保温4小时制得Li₃SbO₄微波介质相；

(2.1)以纯度为99％的MgO、ZnO与上述步骤制备得到Li₃SbO₄微波介质相为原料，按照分子式Li₃(Mg_1-xZn_x)₂SbO₆配制得到粉体，0.02≤x≤0.08；

(2.2)将上述步骤配制得到的粉体混合均匀，以纯水为分散剂、氧化锆球为球磨介质，其中氧化锆球的直径为3～15mm，按照原料：纯水：氧化锆球的重量比为1:2:1.5，采用湿磨法混合8小时，出料后在120℃下烘干，出料后烘干过80目筛，然后按照重量比加入6～10wt％的有机粘合剂进行造粒，过120目筛后压制成直径10～12mm、高5～6mm的圆柱状素坯，之后将素坯放入马弗炉内，在空气中于1325℃下烧结5小时即制得烧结微波介质陶瓷；

(2.3)将烧结好的Li₃(Mg_1-xZn_x)₂SbO₆陶瓷两表面抛光制成成品待测。