[发明专利]具有指纹识别功能的OLED显示面板、显示装置及制备方法在审
| 申请号: | 202010737863.2 | 申请日: | 2020-07-28 |
| 公开(公告)号: | CN111863912A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
| 发明(设计)人: | 任怀森;侯鹏;杨柯;夏维;韩永占;李杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 刘进 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 指纹识别 功能 oled 显示 面板 显示装置 制备 方法 | ||
1.一种具有指纹识别功能的OLED显示面板,其特征在于,包括基板,所述基板上形成多个双栅TFT和多个单栅TFT,每个所述双栅TFT上方均设有PIN光电二极管,每个所述PIN光电二极管的N极均连接至所述双栅TFT的顶栅极;
所述PIN光电二极管远离所述双栅TFT的一侧设有发光层,所述发光层包括间隔设置的多个子像素,所述PIN光电二极管设置在所述子像素之间。
2.根据权利要求1所述的具有指纹识别功能的OLED显示面板,其特征在于,所述PIN光电二极管与所述发光层之间设有上电极层,所述上电极层连接至所述PIN光电二极管的P极。
3.根据权利要求2所述的具有指纹识别功能的OLED显示面板,其特征在于,所述上电极层为透明电极层。
4.根据权利要求1-3任一所述的具有指纹识别功能的OLED显示面板,其特征在于,每个相邻的子像素之间均设有所述PIN光电二极管和与所述PIN光电二极管相连的双栅TFT。
5.根据权利要求4所述的具有指纹识别功能的OLED显示面板,其特征在于,所述PIN光电二级管均包括顺次连接的P型非晶硅膜层,非晶硅膜层和N型非晶硅膜层,所述非晶硅膜层的厚度为6K~10K埃。
6.一种OLED显示装置,其特征在于,包括权利要求1-5任一所述的具有指纹识别功能的OLED显示面板。
7.一种权利要求1-5任一所述的具有指纹识别功能的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,包括步骤:
提供一基板,在所述基板上形成多个双栅TFT和多个单栅TFT,
在每个所述双栅TFT上方形成PIN光电二极管,所述PIN光电二极管的N极均连接至所述双栅TFT的顶栅极;
所述PIN光电二极管远离所述双栅TFT的一侧设有发光层,所述发光层包括间隔设置的多个子像素,所述PIN光电二极管设置在所述子像素之间。
8.根据权利要求7所述的具有指纹识别功能的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,在所述PIN光电二极管与所述发光层之间形成上电极层,所述上电极层连接至所述PIN光电二极管的N极,且所述上电极层为透明电极层。
9.根据权利要求8所述的具有指纹识别功能的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,在每个所述双栅TFT上方形成PIN光电二极管具体包括步骤:
在所述双栅TFT的顶栅层上沉积非晶硅膜层,
向所述非晶硅膜层靠近所述顶栅层的一侧通入磷烷气体,在所述非晶硅膜层靠近所述顶栅层的一侧设置N型非晶硅膜层;
向所述非晶硅膜层远离所述顶栅层的一侧通入硼烷气体,在所述非晶硅膜层远离所述顶栅层的一侧设置P型非晶硅膜层。
10.根据权利要求8所述的具有指纹识别功能的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,在每个所述双栅TFT上方形成PIN光电二极管具体包括步骤:
在所述双栅TFT的顶栅层上沉积非晶硅膜层,
采用植入设备在所述非晶硅膜层靠近所述顶栅层的一侧进行掺杂,形成N型非晶硅膜层;
采用植入设备在所述非晶硅膜层远离所述顶栅层的一侧进行掺杂,形成P型非晶硅膜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





